《納米FinFET器件的統計漲落效應和電路仿真模型研究》是依託北京大學，由吳文擔任負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：納米FinFET器件的統計漲落效應和電路仿真模型研究
- 外文名：Research on statistical fluctuation effect and circuit simulation model of nano-scale FinFET devices
- 項目負責人：吳文
- 項目類別：青年科學基金項目
- 依託單位：北京大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
隨著CMOS尺寸進入納米級，短溝效應導致傳統的平面電晶體退化,而使其不能滿足高性能納米積體電路的要求。為了獲得更好的開關控制特性，非傳統結構如FinFET，環柵MOSFET等被提出。 然而，與傳統平面結構電晶體相比，非傳統納米電晶體由於更小的尺寸和更低的溝道摻雜，更容易受到工藝漲落的影響。因此，本項目將研究工藝統計漲落對納米FinFET器件和電路性能的影響。首先，在納米FinFET器件物理模型的基礎上，建立工藝漲落與器件性能參量之間關係。然後，對納米FinFET器件的關鍵參數進行提取，研究工藝漲落對關鍵參數的影響。採用建立的模型進行模擬，並與數值模擬器結果對比，最後用實驗數據對工藝漲落模型進行驗證和調試。本項目將建立包含工藝敏感度參數的納米FinFET電路仿真模型，實現對納米FinFET工藝漲落的預測，有助於新型FinFET器件結構最佳化和減少工藝漲落對電路設計的影響
結題摘要
隨著CMOS尺寸進入納米級，短溝效應導致傳統的平面電晶體退化而使其不能滿足高性能納米積體電路的要求。為了獲得更好的開關控制特性，非傳統結構如FinFET，環柵MOSFET等被提出。 然而，與傳統平面結構電晶體相比，非傳統納米電晶體由於更小的尺寸和更低的溝道摻雜，更容易受到工藝漲落的影響。因此，本項目研究工藝統計漲落對納米FinFET器件和電路性能的影響。首先，在納米FinFET器件物理模型的基礎上，建立工藝漲落與器件性能參量之間關係。然後，對納米FinFET器件的關鍵參數進行提取，研究工藝漲落對關鍵參數的影響。採用建立的模型進行模擬，並與數值模擬器結果對比，最後用實驗數據對工藝漲落模型進行驗證和調試。本項目建立包含工藝敏感度參數的納米FinFET器件和電路模型，實現對納米FinFET工藝漲落的預測，有助於進行新型FinFET器件結構最佳化和減少該效應對電路設計影響。
