《納米間隙電極實現DNA超高靈敏度電學檢測研究》是依託華東師範大學，由張健擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：納米間隙電極實現DNA超高靈敏度電學檢測研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張健
- 依託單位：華東師範大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60672002
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：F0123
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
納米間隙電極在納米/分子器件和納米基礎研究中具有重要的套用價值。本研究提出了一種採用新的微機械加工納米間隙電極。其原理是利用矽氧化過程中發生的體積膨脹，先採用微機械加工方法在矽基底上產生微米間隙，通過高溫氧化工藝，利用Si-SiO2轉變過程中的體積膨脹效應，實現間隙由微米向納米的轉變，最終形成納米間隙電極結構。所提方法同常規微電子工藝兼容，設備/工藝簡單，電極材料可任意選擇，易實現陣列化且具有高的成功率。該方法優於目前其他產生納米間隙電極的製造方法。在此電極基礎上，構造一種新型DNA感測器，通過測量探針DNA同納米金修飾的目標DNA雜交前後的I-V及AC阻抗變化，實現DNA的檢測。所提出的基於納米電極結構的電學方法更為測試簡單，具有高的靈敏度，容易實現陣列化。所開發的電極製備技術和分子檢測技術預計在納米電子學，分子元件等領域也有重要的推廣和套用價值。
