《納米結構氧化鋅半導體ZnO薄膜的室溫紫外雷射發射》,是由湯子康等人完成的科研項目。
基本介紹
- 中文名:納米結構氧化鋅半導體ZnO薄膜的室溫紫外雷射發射
- 完成人:湯子康等
- 獲獎情況:國家自然科學獎二等獎
- 項目編號:Z-107-2-02
《納米結構氧化鋅半導體ZnO薄膜的室溫紫外雷射發射》,是由湯子康等人完成的科研項目。
ZnO半導體在紫外光發射方面極具潛力,新近發展起來的納米線結構ZnO更因其特殊的幾何形貌及完善的晶體結構,被認為是一種較GaN材料性能更為優異的短波長雷射發射材料。本項目擬在引入同質/異質結和對ZnO納米線進行p型摻雜的基礎上,對ZnO...
ZnO)是一種重要的光電半導體材料在室溫下具有較寬的禁頻寬度(3137eV)和較大的激子束縛能(60meV),被廣泛的套用於光電二極體,感測器,壓敏電阻和光電探測器,特別是ZnO納米結構的室溫紫外光發射現象的發現,使ZnO再次成為短波半導體雷射器件...
氧化鋅膜是指組成為氧化鋅(ZnO) 的薄膜。它具有六角稜柱形纖鋅礦晶格結構,室溫下能隙寬度為3. 3ev。製取方法 一般可用反應氣相沉積方法製備,包括反應電子束蒸發或反應磁控濺射。大面積均勻氧化鋅膜用化學氣相沉積(CVD)、電漿增強...
《石墨烯表面等離激元耦合的納米尺度ZnO紫外雷射研究》是依託東南大學,由徐春祥擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 金屬表面等離激元(SPP)在空間上高度局域的特性極大地激發了人們對突破衍射極限的光電子器件,特別是與半導體耦合的納米...
1.7.4一維量子線、零維量子點半導體微結構材料44 1.7.5碳納米材料45 1.7.6團簇材料46 1.7.7寬頻隙半導體材料48 1.8氧化鋅納米材料概述49 1.8.1ZnO的基本性質50 1.8.2ZnO的製備63 1.8.3ZnO薄膜的套用 70 1.8.4ZnO...
如能將2D結構與ZnO的優勢相結合,會大幅提升ZnO器件的質量,推進其實際套用。非極性且具有類石墨層狀結構2D ZnO晶體的可控制備、物理特性和器件級套用鮮有涉及。本課題擬採用脈衝雷射沉積薄膜、再高溫物理氣相反應還原與快速冷卻工藝相結合...
劉益春發明了熱氧化Zn₃N₂單晶薄膜製備p型ZnO的方法;利用量子限制效應和波導結構獲得納米片的高溫發射和低閾值光泵紫外雷射;通過在p-GaN/n-ZnO異質結中引入i-ZnO層,構造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型結構,成功研製出室溫近紫外發射...