《納米級MOSFET器件中的準彈道輸運效應研究》是依託北京大學，由杜剛擔任負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：納米級MOSFET器件中的準彈道輸運效應研究
- 項目負責人：杜剛
- 項目類別：青年科學基金項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60606013
- 申請代碼：F0402
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
微電子技術已經進入納米時代，類似FINFET的雙多柵結構將取代常規MOS器件，成為納米級MOS器件的主要結構。納米級MOS器件中的載流子輸運研究在最佳化器件結構、器件建模等具有重要意義。對納米級器件量子效應影響是三維的，器件幾何結構在長、深、寬三個方向上對載流子輸運特性都有重要影響。納米級器件中的載流子強場下的輸運行為具有準彈道特點，對器件特性影響重大。因此需要對載流子在強場和量子效應影響下的準彈道輸運進行深入研究。本項目將利用自主建立的基於量子波爾茲曼方程（QBE）的三維蒙特卡羅器件模擬平台，著眼於研究納米級MOSFET器件中載流子在準彈道輸運條件和多維量子效應影響下的輸運特性；研究複雜的器件幾何結構對載流子輸運行為的影響；建立計入量子效應後的載流子準彈道輸運模型；分析在準彈道輸運條件和多維量子效應影響下的納米級MOSFET器件特性，為納米級MOSFET結構最佳化設計和器件特性建模奠定基礎。
