《納米磁電子器件無掩模法製備中的材料科學問題》是依託南京航空航天大學，由王寅崗擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：納米磁電子器件無掩模法製備中的材料科學問題
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王寅崗
- 依託單位：南京航空航天大學
- 批准號：50671048
- 申請代碼：E0107
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：23（萬元）
項目摘要
通過離子輻照對磁性薄膜/多層膜的顯微組織結構、界面結構的影響研究，低劑量離子輻照引起的化學元素再分布研究，離子輻照對磁性、磁性交換耦合性能、磁化反轉過程、磁電阻性能及熱磁穩定性的影響研究，離子輻照工藝對材料微結構和性能的影響規律研究，構建與完善可合理解釋離子輻照引起的磁性能與磁電阻性能變化的層間耦合和鐵磁-反鐵磁界面耦合模型，探討離子輻照過程中磁性薄膜/多層膜的微結構改變對性能影響的機制。並製備幾種簡單形狀的器件，研究套用聚焦離子束技術進行納米磁電子器件的無掩模法製備過程中離子束尾對器件邊緣微結構和器件的磁化反轉過程與熱磁穩定性的影響。本項目的研究將會弄清套用聚焦離子束技術製備納米磁電子器件中的一些材料科學問題，為納米磁電子器件的無掩模法製備提供理論指導。
