納米碳管輻照損傷機理研究

《納米碳管輻照損傷機理研究》是依託清華大學，由崔福齋擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：納米碳管輻照損傷機理研究
• 依託單位：清華大學
• 項目負責人：崔福齋
• 項目類別：面上項目
• 批准號：50072011
• 申請代碼：E0207
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2001-01-01 至 2003-12-31
• 支持經費：18（萬元）

項目摘要

碳納米管受載能粒子輻照產生缺陷的機理和確定輻照損傷基本參數，離位閾能，是本項目的主要研究內容。研究方法主要涉及分子動力學計算機模擬和電鏡、掃描隧道顯微鏡觀擦。由於基於碳納米管的室溫電晶體已經從實驗上製備出來，並預計下世紀成為代替矽在微電子中的中心地位，研究其套用中不可缺少的輻照效應是十分重要的。