《紅外探測器（原書第2版）》是機械工業出版社出版的圖書。
出版信息,內容簡介,目錄,
出版信息
- 出版社：機械工業出版社
- ISBN：9787111451976
- 版次：1
- 商品編碼：11445963
- 品牌：機工出版
- 包裝：精裝
- 外文名稱：Infrared Detectors
- 開本：16開
- 出版時間：2014-03-01
- 用紙：膠版紙
- 頁數：820
- 字數：1306000
- 正文語種：中文
內容簡介
《紅外探測器》有三個鮮明特點：一，內容十分豐富，該書由四部分23章組成，概述了紅外探測器的發展史，詳細介紹了各種紅外探測器的當前狀況，同時根據相關理論預測了其性能極限；二，內容非常系統，不僅介紹了紅外探測技術的基礎知識，而且還較為詳細地闡述了各種類型的探測器，可使讀者對紅外探測器有全面了解，又能側重自己從事的研究項目；三，內容極具先進性，囊括了各種成熟的紅外探測器和研究課題，同時介紹了曾經研究但尚未完全成功套用的一些項目，分析了其中的主要原因，指出未來可能的發展方向。《紅外探測器》參考了大量的會議文獻和技術資料，並根據原書作者研究團隊的研究成果和經驗，分析和列出了目前已經達到的高性能，無疑給讀者提供了一個參考基準，是一部非常有價值的參考書。《紅外探測器》可供光電子領域特別是航空航天方向從事紅外光學儀器設計、器件設計及研究的工程師和研究人員使用，也可作為大專院校相關專業師生的參考用書。
目錄
第1部分 紅外探測技術的基礎知識
第1章 輻射度學
1.1輻射度學和光度學的相關量和單位
1.2輻射度學物理量的定義
1.3輻射率
1.4黑體輻射
1.5發射率（比輻射率）
1.6紅外光學系統
1.7紅外系統輻射度學的相關概念
1.7.1夜視系統
1.7.2大氣透射和紅外光譜
1.7.3景物輻射和對比度
參考文獻
第2章 紅外探測器的性質
2.1 現代紅外技術的發展史
2.2紅外探測器分類
2.3紅外探測器製冷
2.3.1低溫杜瓦瓶
2.3.2焦耳湯普森製冷器
2.3.3斯特林循環製冷技術
2.3.4珀耳帖製冷器
2.4探測器的品質因數
2.4.1回響度
2.4.2噪聲等效功率
2.4.3探測率
2.5基本的探測率極限
參考文獻
第3章 紅外探測器的基本性能極限
3.1熱探測器
3.1.1工作原理
3.1.2噪聲機理
3.1.3比探測率和基本極限
3.2光子探測器
3.2.1光子探測過程
3.2.2光子探測器的理論模型
3.2.2.1光學生成噪聲
3.2.2.2熱生成和複合噪聲
3.2.3光電探測器的最佳厚度
3.2.4探測器材料的品質因數
3.2.5減小器件體積以提高性能
3.3光子和熱探測器基本限制的比較
3.4光電探測器的建模
參考文獻
第4章 外差式探測技術
參考文獻
第2部分 紅外熱探測器
第5章 溫差電堆
5.1溫差電堆的基本工作原理
5.2品質因數
5.3熱電材料
5.4利用微機械技術製造溫差電堆
5.4.1設計最佳化
5.4.2溫差電堆的結構布局
5.4.3微溫差電堆技術
參考文獻
第6章 測輻射熱計
6.1測輻射熱計的基本工作原理
6.2測輻射熱計類型
6.2.1金屬測輻射熱計
6.2.2熱敏電阻
6.2.3半導體測輻射熱計
6.2.4微型室溫矽測輻射熱計
6.2.4.1測輻射熱計的感測材料
6.2.4.2氧化釩
6.2.4.3非晶矽
6.2.4.4矽二極體
6.2.4.5其它材料
6.2.5超導測輻射熱計
6.2.6高溫超導測輻射熱計
6.3熱電子測輻射熱計
參考文獻
第7章 熱釋電探測器
7.1熱釋電探測器的基本工作原理
7.1.1回響度
7.1.2噪聲和探測率
7.2熱釋電材料選擇
7.2.1單晶
7.2.2熱釋電聚合物
7.2.3熱釋電陶瓷
7.2.4電介質測輻射熱計
7.2.5材料選擇
7.3熱釋電攝像機
參考文獻
第8章 新型熱探測器
8.1高萊輻射計
8.2新型非製冷探測器
8.2.1電耦合懸臂樑結構
8.2.2光學耦合懸臂樑結構
8.2.3熱光感測器
8.2.4天線耦合微測輻射熱計
8.3熱探測器性能比較
參考文獻
第3部分 紅外光子探測器
第9章 光子探測器理論
9.1光電導探測器
9.1.1本徵光電導理論
9.1.1.1掃出效應
9.1.1.2光電導體中的噪聲機理
9.1.1.3量子效率
9.1.1.4光電導體的最終性質
9.1.1.5背景影響
9.1.1.6表面複合的影響
9.1.2非本徵光電導理論
9.1.3本徵和非本徵紅外探測器的工作溫度
9.2pn結光敏二極體
9.2.1理想擴散限pn結
9.2.1.1擴散電流
9.2.1.2量子效率
9.2.1.3噪聲
9.2.1.4比探測率
9.2.2實際的pn結
9.2.2.1生成複合電流
9.2.2.2隧穿電流
9.2.2.3表面漏電流
9.2.2.4空間電荷限電流
9.2.3回響時間
9.3pin光敏二極體
9.4雪崩光敏二極體
9.5肖特基勢壘光敏二極體
9.5.1肖特基莫特理論及其修正
9.5.2電流傳輸過程
9.5.3矽化物
9.6金屬半導體金屬光敏二極體
9.7金屬絕緣體半導體光敏二極體
9.8非平衡光敏二極體
9.9nBn探測器
9.10光電磁、磁致濃差和登伯探測器
9.10.1光電磁探測器
9.10.1.1光電磁效應
9.10.1.2利樂解
9.10.1.3製造技術和性能
9.10.2磁致濃差探測器
9.10.3登伯探測器
9.11光子牽引探測器
參考文獻
第10章 本徵矽和鍺探測器
10.1矽光敏二極體
10.2鍺光敏二極體
10.3鍺化矽光敏二極體
參考文獻
第11章 非本徵矽和鍺探測器
11.1非本徵探測技術
11.2非本徵光電探測器的工作特性
11.3非本徵光電導體的性能
11.3.1矽摻雜光電導體
11.3.2鍺摻雜光電導體
11.4受阻雜質帶器件
11.5固態光電倍增管
參考文獻
第12章 光電發射探測器
12.1內光電發射過程
12.1.1散射效應
12.1.2暗電流
12.1.3金屬電極
12.2肖特基勢壘探測器截止波長的控制
12.3肖特基勢壘探測器的結構最佳化和製造
12.4新型內光電發射探測器
12.4.1異質結內光電發射探測器
12.4.2同質結內光電發射探測器
參考文獻
第13章 ⅢV族（元素）探測器
13.1ⅢV族窄帶隙半導體的物理性質
13.2InGaAs 光敏二極體
13.2.1pin InGaAs光敏二極體
13.2.2InGaAs 雪崩光敏二極體
13.3.1InSb光電導探測器
13.3.2InSb 光電磁探測器
13.3.3InSb 光敏二極體
13.3.4InAs 光敏二極體
13.3.5InSb 非平衡光敏二極體
13.4三元和四元ⅢV探測器
13.4.1InAsSb探測器
13.4.1.1InAsSb光電導體
13.4.1.2InAsSb光敏二極體
13.4.2以GaSb三元和四元合金為基礎的光敏二極體
13.5以Sb為基礎的新型ⅢV窄帶隙光電探測器
13.5.1InTlSb和InTlP
13.5.2InSbBi
13.5.3InSbN
參考文獻
第14章 碲鎘汞（HgCdTe）探測器
14.1HgCdTe探測器的發展史
14.2HgCdTe材料：技術和性質
14.2.1相圖
14.2.2晶體生長技術
14.2.3缺陷和雜質
14.2.3.1固有缺陷
14.2.3.2摻雜物
14.3HgCdTe的基本性質
14.3.1能帶隙
14.3.2遷移率
14.3.3光學性質
14.3.4熱生成複合過程
14.3.4.1肖克萊里德過程
14.3.4.2輻射過程
14.3.4.3俄歇過程
14.4俄歇效應為主的光電探測器性能
14.4.1平衡型器件
14.4.2非平衡型器件
14.5光電導探測器
14.5.1探測技術
14.5.2光電導探測器的性能
14.5.2.1工作在溫度77K的器件
14.5.2.2工作溫度高於77K的器件
14.5.3俘獲模式光電導體
14.5.4排斥光電導體
14.5.5掃積型探測器
14.6光伏探測器
14.6.1結的形成
14.6.1.1Hg向內擴散
14.6.1.2離子束銑
14.6.1.3離子植入
14.6.1.4反應離子刻蝕
14.6.1.5生長期間摻雜
14.6.1.6鈍化
14.6.1.7接觸層金屬化工藝
14.6.2對HgCdTe光敏二極體性能的主要限制
14.6.3對HgCdTe光敏二極體性能的次要限制
14.6.4雪崩光敏二極體
14.6.5俄歇抑制光敏二極體
14.6.6金屬絕緣體半導體光敏二極體
14.6.7肖特基勢壘光敏二極體
14.7Hg基探測器
14.7.1晶體生長
14.7.2物理性質
14.7.3HgZnTe光電探測器
14.7.4HgMnTe光電探測器
參考文獻
第15章 IVⅥ族（元素）探測器
15.1材料製備和性質
15.1.1晶體生長
15.1.2缺陷和雜質
15.1.3物理性質
15.1.4生成複合過程
15.2多晶光電導探測器
15.2.1多晶鉛鹽的沉積
15.2.2製造技術
15.2.3性能
15.3pn結光敏二極體
15.3.1性能限
15.3.2技術和性質
15.3.2.1擴散光敏二極體
15.3.2.2離子植入
15.3.2.3異質結
15.4肖特基勢壘光敏二極體
15.4.1肖特基勢壘的相關爭議問題
15.4.2技術和性質
15.5非尋常薄膜光敏二極體
15.6可調諧諧振腔增強型探測器
15.7鉛鹽與HgCdTe
參考文獻
第16章 量子阱紅外光電探測器
16.1低維固體：基礎知識
16.2多量子阱和超晶格結構
16.2.1成分超晶格結構
16.2.2摻雜超晶格結構
16.2.3子帶間光學躍遷
16.2.4子帶間弛豫時間
16.3光電導量子阱紅外光電探測器
16.3.1製造技術
16.3.2暗電流
16.3.3光電流
16.3.4探測器性能
16.3.5量子阱紅外光電探測器與碲鎘汞探測器
16.4光伏量子阱紅外光電探測器
16.5超晶格微帶量子阱紅外光電探測器
16.6光耦合
16.7其它相關器件
16.7.1p類摻雜GaAs/AlGaAs 量子阱紅外光電探測器
16.7.2熱電子電晶體探測器
16.7.3SiGe/Si量子阱紅外光電探測器
16.7.4採用其它材料體系的量子阱紅外光電探測器
16.7.5多色探測器
16.7.6集成發光二極體量子阱紅外光電探測器
參考文獻
第17章 超晶格紅外探測器
第18章 量子點紅外光電探測器
第Ⅳ部分 焦平面陣列
第19章 焦平面陣列結構概述
第20章 熱探測器焦平面陣列
第21章 光子探測器焦平面陣列
第22章 太赫茲探測器和焦平面陣列
第23章 第三代紅外探測器
第1章 輻射度學
1.1輻射度學和光度學的相關量和單位
1.2輻射度學物理量的定義
1.3輻射率
1.4黑體輻射
1.5發射率（比輻射率）
1.6紅外光學系統
1.7紅外系統輻射度學的相關概念
1.7.1夜視系統
1.7.2大氣透射和紅外光譜
1.7.3景物輻射和對比度
參考文獻
第2章 紅外探測器的性質
2.1 現代紅外技術的發展史
2.2紅外探測器分類
2.3紅外探測器製冷
2.3.1低溫杜瓦瓶
2.3.2焦耳湯普森製冷器
2.3.3斯特林循環製冷技術
2.3.4珀耳帖製冷器
2.4探測器的品質因數
2.4.1回響度
2.4.2噪聲等效功率
2.4.3探測率
2.5基本的探測率極限
參考文獻
第3章 紅外探測器的基本性能極限
3.1熱探測器
3.1.1工作原理
3.1.2噪聲機理
3.1.3比探測率和基本極限
3.2光子探測器
3.2.1光子探測過程
3.2.2光子探測器的理論模型
3.2.2.1光學生成噪聲
3.2.2.2熱生成和複合噪聲
3.2.3光電探測器的最佳厚度
3.2.4探測器材料的品質因數
3.2.5減小器件體積以提高性能
3.3光子和熱探測器基本限制的比較
3.4光電探測器的建模
參考文獻
第4章 外差式探測技術
參考文獻
第2部分 紅外熱探測器
第5章 溫差電堆
5.1溫差電堆的基本工作原理
5.2品質因數
5.3熱電材料
5.4利用微機械技術製造溫差電堆
5.4.1設計最佳化
5.4.2溫差電堆的結構布局
5.4.3微溫差電堆技術
參考文獻
第6章 測輻射熱計
6.1測輻射熱計的基本工作原理
6.2測輻射熱計類型
6.2.1金屬測輻射熱計
6.2.2熱敏電阻
6.2.3半導體測輻射熱計
6.2.4微型室溫矽測輻射熱計
6.2.4.1測輻射熱計的感測材料
6.2.4.2氧化釩
6.2.4.3非晶矽
6.2.4.4矽二極體
6.2.4.5其它材料
6.2.5超導測輻射熱計
6.2.6高溫超導測輻射熱計
6.3熱電子測輻射熱計
參考文獻
第7章 熱釋電探測器
7.1熱釋電探測器的基本工作原理
7.1.1回響度
7.1.2噪聲和探測率
7.2熱釋電材料選擇
7.2.1單晶
7.2.2熱釋電聚合物
7.2.3熱釋電陶瓷
7.2.4電介質測輻射熱計
7.2.5材料選擇
7.3熱釋電攝像機
參考文獻
第8章 新型熱探測器
8.1高萊輻射計
8.2新型非製冷探測器
8.2.1電耦合懸臂樑結構
8.2.2光學耦合懸臂樑結構
8.2.3熱光感測器
8.2.4天線耦合微測輻射熱計
8.3熱探測器性能比較
參考文獻
第3部分 紅外光子探測器
第9章 光子探測器理論
9.1光電導探測器
9.1.1本徵光電導理論
9.1.1.1掃出效應
9.1.1.2光電導體中的噪聲機理
9.1.1.3量子效率
9.1.1.4光電導體的最終性質
9.1.1.5背景影響
9.1.1.6表面複合的影響
9.1.2非本徵光電導理論
9.1.3本徵和非本徵紅外探測器的工作溫度
9.2pn結光敏二極體
9.2.1理想擴散限pn結
9.2.1.1擴散電流
9.2.1.2量子效率
9.2.1.3噪聲
9.2.1.4比探測率
9.2.2實際的pn結
9.2.2.1生成複合電流
9.2.2.2隧穿電流
9.2.2.3表面漏電流
9.2.2.4空間電荷限電流
9.2.3回響時間
9.3pin光敏二極體
9.4雪崩光敏二極體
9.5肖特基勢壘光敏二極體
9.5.1肖特基莫特理論及其修正
9.5.2電流傳輸過程
9.5.3矽化物
9.6金屬半導體金屬光敏二極體
9.7金屬絕緣體半導體光敏二極體
9.8非平衡光敏二極體
9.9nBn探測器
9.10光電磁、磁致濃差和登伯探測器
9.10.1光電磁探測器
9.10.1.1光電磁效應
9.10.1.2利樂解
9.10.1.3製造技術和性能
9.10.2磁致濃差探測器
9.10.3登伯探測器
9.11光子牽引探測器
參考文獻
第10章 本徵矽和鍺探測器
10.1矽光敏二極體
10.2鍺光敏二極體
10.3鍺化矽光敏二極體
參考文獻
第11章 非本徵矽和鍺探測器
11.1非本徵探測技術
11.2非本徵光電探測器的工作特性
11.3非本徵光電導體的性能
11.3.1矽摻雜光電導體
11.3.2鍺摻雜光電導體
11.4受阻雜質帶器件
11.5固態光電倍增管
參考文獻
第12章 光電發射探測器
12.1內光電發射過程
12.1.1散射效應
12.1.2暗電流
12.1.3金屬電極
12.2肖特基勢壘探測器截止波長的控制
12.3肖特基勢壘探測器的結構最佳化和製造
12.4新型內光電發射探測器
12.4.1異質結內光電發射探測器
12.4.2同質結內光電發射探測器
參考文獻
第13章 ⅢV族（元素）探測器
13.1ⅢV族窄帶隙半導體的物理性質
13.2InGaAs 光敏二極體
13.2.1pin InGaAs光敏二極體
13.2.2InGaAs 雪崩光敏二極體
13.3.1InSb光電導探測器
13.3.2InSb 光電磁探測器
13.3.3InSb 光敏二極體
13.3.4InAs 光敏二極體
13.3.5InSb 非平衡光敏二極體
13.4三元和四元ⅢV探測器
13.4.1InAsSb探測器
13.4.1.1InAsSb光電導體
13.4.1.2InAsSb光敏二極體
13.4.2以GaSb三元和四元合金為基礎的光敏二極體
13.5以Sb為基礎的新型ⅢV窄帶隙光電探測器
13.5.1InTlSb和InTlP
13.5.2InSbBi
13.5.3InSbN
參考文獻
第14章 碲鎘汞（HgCdTe）探測器
14.1HgCdTe探測器的發展史
14.2HgCdTe材料：技術和性質
14.2.1相圖
14.2.2晶體生長技術
14.2.3缺陷和雜質
14.2.3.1固有缺陷
14.2.3.2摻雜物
14.3HgCdTe的基本性質
14.3.1能帶隙
14.3.2遷移率
14.3.3光學性質
14.3.4熱生成複合過程
14.3.4.1肖克萊里德過程
14.3.4.2輻射過程
14.3.4.3俄歇過程
14.4俄歇效應為主的光電探測器性能
14.4.1平衡型器件
14.4.2非平衡型器件
14.5光電導探測器
14.5.1探測技術
14.5.2光電導探測器的性能
14.5.2.1工作在溫度77K的器件
14.5.2.2工作溫度高於77K的器件
14.5.3俘獲模式光電導體
14.5.4排斥光電導體
14.5.5掃積型探測器
14.6光伏探測器
14.6.1結的形成
14.6.1.1Hg向內擴散
14.6.1.2離子束銑
14.6.1.3離子植入
14.6.1.4反應離子刻蝕
14.6.1.5生長期間摻雜
14.6.1.6鈍化
14.6.1.7接觸層金屬化工藝
14.6.2對HgCdTe光敏二極體性能的主要限制
14.6.3對HgCdTe光敏二極體性能的次要限制
14.6.4雪崩光敏二極體
14.6.5俄歇抑制光敏二極體
14.6.6金屬絕緣體半導體光敏二極體
14.6.7肖特基勢壘光敏二極體
14.7Hg基探測器
14.7.1晶體生長
14.7.2物理性質
14.7.3HgZnTe光電探測器
14.7.4HgMnTe光電探測器
參考文獻
第15章 IVⅥ族（元素）探測器
15.1材料製備和性質
15.1.1晶體生長
15.1.2缺陷和雜質
15.1.3物理性質
15.1.4生成複合過程
15.2多晶光電導探測器
15.2.1多晶鉛鹽的沉積
15.2.2製造技術
15.2.3性能
15.3pn結光敏二極體
15.3.1性能限
15.3.2技術和性質
15.3.2.1擴散光敏二極體
15.3.2.2離子植入
15.3.2.3異質結
15.4肖特基勢壘光敏二極體
15.4.1肖特基勢壘的相關爭議問題
15.4.2技術和性質
15.5非尋常薄膜光敏二極體
15.6可調諧諧振腔增強型探測器
15.7鉛鹽與HgCdTe
參考文獻
第16章 量子阱紅外光電探測器
16.1低維固體：基礎知識
16.2多量子阱和超晶格結構
16.2.1成分超晶格結構
16.2.2摻雜超晶格結構
16.2.3子帶間光學躍遷
16.2.4子帶間弛豫時間
16.3光電導量子阱紅外光電探測器
16.3.1製造技術
16.3.2暗電流
16.3.3光電流
16.3.4探測器性能
16.3.5量子阱紅外光電探測器與碲鎘汞探測器
16.4光伏量子阱紅外光電探測器
16.5超晶格微帶量子阱紅外光電探測器
16.6光耦合
16.7其它相關器件
16.7.1p類摻雜GaAs/AlGaAs 量子阱紅外光電探測器
16.7.2熱電子電晶體探測器
16.7.3SiGe/Si量子阱紅外光電探測器
16.7.4採用其它材料體系的量子阱紅外光電探測器
16.7.5多色探測器
16.7.6集成發光二極體量子阱紅外光電探測器
參考文獻
第17章 超晶格紅外探測器
第18章 量子點紅外光電探測器
第Ⅳ部分 焦平面陣列
第19章 焦平面陣列結構概述
第20章 熱探測器焦平面陣列
第21章 光子探測器焦平面陣列
第22章 太赫茲探測器和焦平面陣列
第23章 第三代紅外探測器
