籽晶

分類

按用途分

按用途分，有CZ直拉單晶籽晶、區熔籽晶、藍寶石籽晶、SiC籽晶。

CZ直拉

在直拉單晶中，需要一定晶向的晶種作為直拉單晶引晶，晶向主要有[100]、[110]、[111]三種。半導體三種晶向都有，太陽能主要用[100]晶向的籽晶。

2區熔籽晶

區熔籽晶的型號有N型和P型，是籽晶中純度和電阻率要求最高的，電阻率至少要求在300Ω.cm以上，少子壽命值一般都在幾百甚至幾千微秒以上，晶向類型分<111>和<110>兩種，該類籽晶一般呈方形長條狀。

藍寶石籽晶

藍寶石具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性等特點，廣泛套用在醫療、環保、化工、高真空測試、LED等等領域。然而，藍寶石的製備及其品質一直是套用關注的核心問題，製備好品質的藍寶石最關鍵要素之一就是晶種的選擇。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著藍寶石晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。做為藍寶石長晶用的一種晶棒，如下圖：

SiC籽晶

作為SiC長晶用的一種晶種，其形狀主要以薄片狀為主，如下圖

按形狀分

目前按形狀分主要有片狀籽晶、方籽晶、圓籽晶、錐籽晶、半錐籽晶。

片狀籽晶

該類籽晶目前主要是SiC籽晶。

圓錐半錐方狀

前三種籽晶主要是CZ直拉單晶專用籽晶，方籽晶由於加工過程中容易產生機械應力、崩邊損傷，已經逐步退出歷史舞台，它們的用途都一樣，主要是根據拉單晶的投料量，一般直徑12.5mm的圓籽晶最多能拉制60KG的晶棒，直徑17.5mm一般最多能拉制90KG的晶棒，90kg以上的一般採用錐籽晶、半錐籽晶和三節錐籽晶。

註：帶紅點標識的為半錐籽晶、藍點標識的為全錐籽晶、綠點標識的為圓籽晶、黃點的為方形籽晶（其中大的帶槽口的為太陽能的方籽晶，小的為區熔級方籽晶）

套用

紅外探傷的原理是在特定光源和紅外探測器的協助下，紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的矽塊，純矽料幾乎不吸收這個波段的波長，但是如果矽塊裡面有微粒、夾雜(通常為SiC)、隱裂，則這些雜質將吸收紅外光，因此在成像系統中將呈現出來，根據穿過缺陷和純矽的發射及散射信號的不同，可以來計算缺陷的位置。而且這些圖像將通過軟體自動生成三維模型圖像。

目前的國內廠家針對籽晶的品質要求主要都集中在對其電阻率、晶向及其加工的尺寸指標上的要求，往往忽視其隱裂指標的要求，嚴重的事故或品質問題往往常常發生在自己對其最有把握的節點上，探傷籽晶隱裂將成為降低拉晶事故率，控制風險的一個重要手段，我們生產的籽晶利用其自身的產品技術優勢，採用了目前世界上最先進的紅外探傷儀NIR-01在產品出廠前進行一道嚴格的探傷工藝，保證了籽晶的完美品質。

革新

眾所周知，斷晶是籽晶使用中最為頭疼的事情，籽晶在拉晶中所占成本微乎其微，但是如果籽晶如果出現斷晶問題，那么損失卻是巨大的，包括矽料，石英坩堝，石墨三瓣堝，甚至熱場，爐底板擊穿等損失，少則幾萬，多則十幾萬，斷晶現象固然有拉制過程中由於投料量過大、機械應力、回爐、拉速溫度、籽晶剪斷等操作細節控制不好的原因，籽晶的本身物理品質也是個不可忽視的因素，隱裂就是其中一個很關鍵的指標，使用帶有隱裂的籽晶去拉制單晶，大大的增加了斷晶的風險。

籽晶

基本介紹

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