空帶（empty band）是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名：空帶
- 外文名：empty band
- 所屬學科：電氣工程
- 公布時間：1998年
公布時間,出處,
公布時間
1998年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電氣工程名詞》第一版。
空帶
相關詞條
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- 金屬能帶理論
金屬能帶理論（band theory of metals）是用分子軌道理論說明金屬鍵本質的理論。金屬原子間組成若干分子軌道，它是一組擴展到整塊金屬的非定域軌道，且相鄰的分子軌道間能級差很小，形成一個能帶，各不同能量的能帶排列起來，形成能帶結構。充滿電子的能帶稱滿帶，沒有電子的稱空帶，有電子但未充滿的稱導帶。滿帶到...
- 能帶結構
被電子占滿的允帶稱為滿帶。原子中最外層電子稱為價電子，這一殼層分裂所成的能帶稱為價帶。比價帶能量更高的允許帶稱為導帶；沒有電子進入的能帶稱為空帶。任一能帶可能被電子填滿，也可能不被填滿，滿帶電子是不導電的。泡利不相容原理認為，每個能級只能容納自旋方向相反的兩個電子，在外加電場上，這兩個...
- 能帶
能量比價帶低的各能帶一般都是滿帶，價帶可以是滿帶，也可以是導帶；如在金屬中是導帶，所以金屬能導電。在絕緣體中和半導體中是滿帶所以它們不能導電。但半導體很容易因其中有雜質或受外界影響（如光照，升溫等），使價帶中的電子數目減少，或使空帶中出現一些電子而成為導帶,因而也能導電。結構 固體材料的能帶...
- 能帶理論
固體材料中全空的導帶稱為空帶。當滿帶與空帶之間的禁頻寬達5～7eV時，電子難以借熱運動等躍過禁帶進入空帶，因此是絕緣體，如金剛石的禁頻寬達5.3eV。但當禁頻寬度在1eV(1.602×10-19J或96.48kJ·mol-1)上下，便屬於半導體材料。典型的半導體Si禁帶為1.12eV；Ge為0.67eV。孤立原子 孤立原子的外層...
- 半導體(常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料)
在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴。空穴導電並不是實際運動，而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成巨觀...
- 禁帶
此外，與各原子激發的能級相應的能帶，在未被激發的正常情況下，往往沒有電子填入稱為空帶。如果有電子因某種因素受激進入空帶，在外電場中，這電子也可得到加速，在該空帶內稍高的空能態轉移，從而表現為具有一定的導電性，因此空帶也稱為導帶。晶體中能帶結構示意圖如圖1所示。示意圖 常見半導體材料禁帶值：相...
- 空穴
2.有效質量數值等於價帶頂空態所對應的電子有效質量,但符號為正,即mp=-mn;3.速度為價帶頂空帶所對應的電子速度;4.濃度等於空態密度p0;原理 一個呈電中性的原子，其正電質子和負電電子的數量是相等的。當少了一個負電的電子，那裡就會呈現出一個正電性的空位——空穴；反之，當有一個電子進來掉進了空穴，就...
