磷化稼外延片C*aP episaxial wafer在磷化稼襯底卜用液相外延或氣相外延法生長的磷化稼單晶薄層材料。是目前_「業生產規模最大的化合物半異體發光二極體外延材料。生產方式大多為冷卻法，操作方法有雙箱法、浸漬法、滑動舟法。設備容量一般為2D一3a }' r次。采111垂直襯底架可達Zno片人欠。
