磁泡存儲器

磁泡存儲器（英語：Bubble memory）是一種非易失性存儲器。它使用了一種較薄的磁性材料製成的膠片來維持小型的磁化區域，這些區域被稱作是“磁泡”（bubbles）或者“磁域”（domains），每一個這種區域存儲一個位元的數據。磁泡存儲器在1970年代出現，但是在1980年代硬碟價格急劇下降的情況下未能獲得商業上的成功。

基本介紹

• 中文名：磁泡存儲器
• 外文名：Bubble memory
• 類別：存儲器

非易失性存儲器

非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉後，所存儲的數據不會消失者的計算機存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用計算機時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。

類型

非易失性存儲器主要有以下類型：

• ROM（Read-only memory，唯讀存儲器）
• PROM（Programmable read-only memory，可程式唯讀存儲器）
• EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫唯讀存儲器）
• EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可程式唯讀存儲器）
• EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可程式唯讀存儲器）

Flash memory（快閃記憶體）

硬碟, 光碟與磁帶雖然也是非易失性存儲器, 但現行NVM一般特指非機械式之電子組件。