現有的直拉法拉晶技術存在兩種對流形式，即自然對流和強迫對流。自然對流是由溫度梯度造成，而強迫對流由拉晶時設定的晶轉、堝轉及熔體的粘滯性造成。一般情況下，強迫對流在拉晶中相對穩定；理想情況下，自然對流和強迫對流是趨向穩定的關係（臨界狀態）。但在實際情況中。自然對流的影響會逐漸加強，破壞這種理想的臨界狀態，造成了晶體生長液面的溫度震盪，導致雜質在晶體界面的微分凝，造成晶體的光學性質，電學性質的不均勻性。
為了抑制這種現象，就要降低溫度梯度的影響，一般的措施有：1.容器的縱橫比，即考慮好坩堝的形狀和尺寸。
2.在失重情況下生長。
3.雙坩堝法，擋板法等。即在坩堝內加入其它裝置來減少自然對流。
4.增加強迫對流，來控制自然對流，如磁場拉晶法。
磁場拉晶技術簡介：
在現行的直拉爐中增加磁場裝置。由於熔體本身導電，導電的流體在磁場中運動，流體的電流微元穿過磁力線，產生作用於其上的安培力，該力的方向同電流微元的運動方向相反，因此可以阻滯流體的熱對流，提高晶體性能和均勻性。
