《碳化矽材料氧化膜改性、表面複合塗層與高溫導電性能》是依託西安交通大學，由高積強擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：碳化矽材料氧化膜改性、表面複合塗層與高溫導電性能
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：高積強
- 依託單位：西安交通大學
- 批准號：59772013
- 申請代碼：E0206
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 支持經費：30（萬元）
中文摘要
矽/碳直接反應法製備緻密碳化矽材料，氣孔率≤0.5%，室溫電阻率＜0.03Ωcm；反應燒結—重結晶法在1800℃製備了重結晶碳化矽材料，β-α-碳化矽的相變促進了再結晶過程，改善材料晶粒間的結合，材料電阻率0.1-0.2Ωcm。通過對反應燒結碳化矽材料顯微結構的控制可控制重結晶材料的電阻率。氮、鋁、鎳、鉬元素的添加明顯降低反應燒結碳化矽材料的室溫電阻率，氮和鎳或鉬複合加入具有更明顯效果。鋁、鎳、鉬和氧化鋯、氧化釹的加入改善了氧化膜抗破裂能力，提高重結晶碳化矽材料高溫抗氧化能力，增強材料提高材料高溫電阻穩定性。莫來石和二矽化鉬塗層有效提高材料高溫抗氧化能力。有關成果已得到套用。
