《矽納米結構的金屬修飾及其在選擇性氧化反應中的套用》是依託蘇州大學,由康振輝擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:矽納米結構的金屬修飾及其在選擇性氧化反應中的套用
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:康振輝
- 依託單位:蘇州大學
《矽納米結構的金屬修飾及其在選擇性氧化反應中的套用》是依託蘇州大學,由康振輝擔任項目負責人的面上項目。
《矽納米結構的金屬修飾及其在選擇性氧化反應中的套用》是依託蘇州大學,由康振輝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要以前期工作為基礎,深入探討典型的矽納米結構(量子點、納米粒子、納米線、納/微複合結構等)與多種金屬納米粒子(A...
套用前景 我們在矽襯底上設計了十來種矽/氧化矽納米結構,實現了從近紫外到近紅外的各主要波段(包括1.54和1.62μm)的光致發光和正向或反向偏壓下的低閾值電壓電致發光,並提出了受到廣泛支持的光致發光和電致發光模型,這為最終實現矽基光電集成打下一定的基礎。具有重要的科學意義和巨大的套用前景。
納米材料與納米結構是納米技術的核心,納米材料是其物質基礎和重要組成部分。本書對氧化物納米材料和矽納米材料的製備及套用進行了研究,主要內容涵蓋了氧化鋅材料的微結構及套用、氧化鈦材料的微結構及套用、氧化鎢材料的微結構及套用等。本書結構合理,條理清晰,內容豐富新穎,可供材料科學工作者參考使用。
Tsutsumi 等發展了一種新型的EB 技術[6],即無機電子束蝕刻,此技術完全具有傳統EB 技術的優點,同時解析度更高,研究表明在納米尺度範圍內僅有4.2%的偏移,所以無機EB 技術很適合製備矽納米結構器件。反應性離子蝕刻(RIE)RIE 是結合電漿態的反應性化學活性與引起離子撞擊的物理影響來達到蝕刻的一項技術。以加速獲得...
《若干金屬和非金屬元素改性網路矽材料能帶結構的研究》是依託清華大學,由馮嘉猷擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 直接帶隙半導體材料對於光電積體電路具有重要意義。微電子領域中廣泛套用的矽材料,因其間接帶隙特性限制了它在此領域的套用。本課題組根據第一性原理計算,首次提出了一種潛在的直接帶隙的網路矽...
《矽納米線及矽納米管》是2007年化學工業出版社出版的圖書,作者是唐元洪。本書為系統介紹矽納米線及矽納米管的專著,論述了矽納米線及矽納米管的製備、結構、性能與套用。內容簡介 矽納米線及矽納米管由於結構及性能上的特殊性,使其成為當前國際前沿的研究熱點。作者在國內外大量原始文獻的基礎上,結合自己的實驗...
在此基礎上製備出一種新穎而二氧化鈰材料:多孔二氧化鈰納米棒(PN-CeO2)。其具有最大的儲氧量(900 μmol-O2/g)。該結構具有優良的低溫催化燃燒CO和碳顆粒的性能。其低廉的製備成本有望在柴油機和汽車尾氣處理方面有著套用前景。並在基礎上發展兩種綠色催化新工藝。(1)通過化學製備法形成Pd/Au/PN-CeO2多功能...