矽溫度感測器，當兩個相同的電晶體在集電極電流密度比恆定的情況下工作時，它們的基極-發射極電壓差僅與絕對溫度成正比。其他的溫度感測器則基於採用二極體接法的電晶體的基極-發射極電壓VBE的行為，此VBE隨著溫度反向變化，這個變化速率非常恆定。
基本介紹
- 中文名：矽溫度感測器
- 類別：儀器設備
工作原理,注意要點,
工作原理
當兩個相同的電晶體在集電極電流密度比恆定的情況下工作時，它們的基極-發射極電壓差僅與絕對溫度成正比。其他的溫度感測器則基於採用二極體接法的電晶體的基極-發射極電壓VBE的行為，此VBE隨著溫度反向變化，這個變化速率非常恆定，為- 2mV /℃，但是對於不同的電晶體，VBE變化的絕對值也不同。為了補償這種變化，可以在不同的IE值下比較ΔVBE。
注意要點
某些矽溫度感測器產生模擬電壓輸出（VPTAT，即與絕對溫度成正比的電壓），而其他的溫度感測器則將VPTAT轉換為電流輸出。
在數字輸出溫度感測器中，放大檢測電晶體的VBE，然後與帶隙基準電壓比較，並將結果輸入到Σ-Δ或逐次逼近暫存器ADC中轉換為數字輸出，精度可以是13bit或16bit，其中最低有效位被用作符號位。
一種可替換的數字輸出方案是採用脈寬調製（PWM），其溫度和脈衝的導通與截止時間的比例成正比。由於導通時間是固定的，因此這些感測器可以按照需要執行單次測量以使功耗最小。
