《矽晶體中3d金屬沉澱和穩定性》是依託浙江大學，由楊德仁擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：矽晶體中3d金屬沉澱和穩定性
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：楊德仁
- 項目類別：青年科學基金項目
- 批准號：69406001
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 支持經費：1995-01-01 至 1997-12-31
- 研究期限：7（萬元）
項目摘要
3d過渡金屬在大規模積體電路工藝中的引入，嚴重影響積體電路的性能和質量，本項目著重研究矽晶體中3d過渡金屬（鐵，鈷，鎳）的沉澱性質，以及它們和矽中氧沉澱的關係，並了解金屬沉澱的穩定性。本課題以基本完成原先的工作計畫，取得了很好的研究成果，清晰地了解3d過渡金屬的沉澱性質，提出對金屬沉澱影響最主要的是熱循環退火工藝中最後一步退火的溫度和冷卻速度，在3d金屬和氧沉澱和關係上，發現鐵等金屬雜質對氧沉澱有明顯作用，特別是研究了微氮矽晶體中鐵金屬的性質，研究指出金屬沉澱是不穩定的，在後續熱處理時會部分或全部溶解，本項目的研究成果對大規模積體電路的生產工藝設計有指導作用。
