《矽單晶退火片》是2022年10月1日開始實施的一項中國國家標準。
《矽單晶退火片》是2022年10月1日開始實施的一項中國國家標準。編制進程2022年3月9日，《矽單晶退火片》發布。2022年10月1日，《矽單晶退火片》實施。起草工作主要起草單位：有研半導體矽材料股份公司、山東有研半導...
如果是單晶棒應力引起的矽片彎曲,目前只能對單晶棒或單晶片退火,或對單晶片進行腐蝕,消除單晶片的應力以後,矽片彎曲度自然消失。如果是刀片走偏引起的矽片彎曲,消除的方法就是修正刀片。修正刀片有以下二沖情況:一種是刀片的鋒利性低,進刀速度快,切割阻力大,刀片張力小。當切割阻力超過了刀片基體本身的張力時,刀片...
曾有科學家將這種定向成長觀點用於除某些涉及到單晶形變實驗所得織構以外的各種織構。之所以不適用於形變單晶，是因為它缺乏在位向上有利於成長的晶核。大量實驗結果都可以由這類定向成長理論來加以解釋。一些基本實驗表明， 當晶界為孿晶界時，晶界遷移速率很慢； 當基體為細晶粒，並且具有與新晶粒的位向相近的單晶...
這種準單晶矽片的晶界數量遠小於普通的多晶矽片。無籽晶的單晶鑄錠技術難點在於控溫。（2）有籽晶鑄錠。當下量產的準單晶技術大部分為有籽晶鑄錠。這種技術先把籽晶、矽料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶一般位於坩堝底部，再加熱融化矽料，並保持籽晶不被完全融掉，最後控制降溫，調節固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶...
6）退火處理晶體。2 坩堝下降法：在下降坩堝的過程，能精密測溫，控溫的設備中進行。過熱處理的熔體降到稍高於凝固溫度後，下降至低溫區，實現單晶生長，並能繼續保持。3 泡生法：過熱熔體降溫至稍高於熔點，降低爐溫或冷卻籽晶桿，使籽晶周圍熔體過冷，生長晶體。控制好溫度，就能保持晶體不斷生長。4 水平區熔...
將矽片放入燒結爐中進行燒結，溫度為250-850℃，使銀漿和鋁漿分解為金屬電極並烙印在電池片上。測試結果：電池片平均反射率18%。在AM1.5，100兆瓦/平方米標準光強的照射下，單晶太陽電池的轉換效率為18.9%。實例一 具有仿生結構晶矽太陽電池的製備 1、矽片 採用P型單晶矽片，電阻率為1.5歐·厘米，厚度180微米...
中科院寧波材料技術與工程研究所萬青研究組提出了一種交叉自對準工藝，採用普通絲網印刷設備研製了高效率的晶體矽太陽能電池。常規晶矽電池工藝在經過高溫磷擴散後，在電池表面存在一層高濃度磷元素的磷矽玻璃層，通過波長為532nm的雷射圖形化退火處理，將磷矽玻璃中的磷元素進一步擴散進入矽，從而在電池片表面形成選擇性...
無毒、環境友好的重摻磷單晶矽可以部分替代重摻砷、重摻銻矽單晶，製備功率半導體器件，在汽車等領域有廣泛套用。本項目利用獨特的磷摻雜技術，生長重摻磷單晶矽，研究其原生氧沉澱的結構、尺寸和分布，以及生長和消除規律；研究在不同熱處理條件（單步、多步退火、快速熱處理）下，特別是在模擬CMOS器件工藝的熱循環...
但研究發現，在非矽襯底上很難形成較大的晶粒,並且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用LPCVD在襯底上沉熾一層較薄的非晶矽層，再將這層非晶矽層退火，得到較大的晶粒，然後再在這層籽晶上沉積厚的多晶矽薄膜，因此，再結晶技術無疑是很重要的一個環節，目前採用的技術主要有固相結晶法和中區熔再結晶...
H2 占10%）混合氣體中於300~600℃快速退火3 min 以鈍化Si-SiOx界面.熱退火和表面鈍化過程都可以增強 FET 的平均跨導及載流子遷移率，平均跨導從45 nS 增加到800 nS，最大峰值2 000 nS，平均遷移率從30 cm2/（V·s）增加到了560 cm2/（V·s），最大峰值1 350 cm2/（V·s），這些研究結果比目前矽...
採用廉價襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法，或對a-Si：H材料膜進行後退火，達到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶矽薄膜生長與a-Si工藝相容，光電性能和穩定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7%。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結構，是提高a-S光電池穩定性和轉換...
在600℃之間生成的非晶矽薄膜的晶粒尺寸小、表面粗糙度小（50Å）。多晶矽的澱積速度隨溫度的升高而呈指數關係增加，一般約為幾納米/分到幾百納米/分。多晶矽薄膜的應力隨生長溫度和矽烷壓力的不同而有著較大的變化。為了獲得低應力的多晶矽薄膜，通常在LPCVD澱積多晶矽薄膜完成後，通過高溫退火（>900℃）處理來釋放...
精拋光主要是指複合材料以及儀表、陶瓷、光學玻璃、各種有色和黑色金屬、寶石等產品的高光潔度表面的研磨及拋光。精拋光過程 固定：將單晶矽棒固定在加工台上。切片：將單晶矽棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的矽粉採用水 退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生...
半導體製造商主要用拋光Si片（PW）和外延Si片作為IC的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標準PW所不具有的某些電學特性並消除了許多在晶體生長和其後的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。歷史上，外延片是由Si片製造商生產並自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般...
這種矽鋼片的晶粒呈立方體組織。發展歷程 20年代初，威廉（Williams）對矽鐵中單晶進行了研究，得到了在易磁化軸{100}方向um=1400000，認為在多晶粒板中在{100}軸向也應有極好的性能 。1926年，日本人本多· 茅發現，鐵的結晶方向最容易磁化，或者說晶粒立方體棱邊方向是最易磁化的方向。1934年，美國人戈斯（N.P....
公司已投產的多晶矽鑄錠爐，通過引進日本技術，將多晶矽碎片、頭尾料、鍋底料、各種單晶廢片等材料按照工藝配方要求裝入坩堝內，再將裝好料的坩堝裝入腔體中的熱場內，經預熱、熔化、定向結晶、退火、冷卻工藝，在經過1400℃—1500℃的高溫，歷時65個小時，鑄成生產太陽能電池片的前道原料—多晶矽錠。以毛錠、小方錠...
目前晟納吉公司已具有單晶矽年生產能力500噸、矽片年加工能力3000萬片。主要產品及特點 1） P型、N型太陽能級125×125和156×156英寸的矽單晶方棒。和125×125和156×156矽單晶方片。該產品在生產過程中採用了特殊的工藝技術，即：退火技術、內應力消除技術等等。採用該技術的產品不僅可以使矽單晶中的氧施主被消除...
該發明以單晶矽片為原料，其特徵在於，在依次通過鹼腐蝕致絨、酸清洗去除雜質、純水再清洗、烘乾水分、三氯氧磷擴散、磷玻璃去除與絕緣、熱退火後對單晶矽片依次採用如下步驟的處理：（1）在單晶矽片的背面鍍一層氧化鋁薄膜，薄膜厚度為75納米；（2）在氧化鋁薄膜的基礎上進一步鍍一層氮化矽薄膜，薄膜厚度為75納米；...
矽片是一種矽材料通過加工切成一片一片的。矽是一種硬度很高的物質，矽材料看起來像石頭一樣，他要經過清洗乾淨然後用爐子加熱融化形成一個大塊的矽錠，然後再用特定機器來進行細切成一片一片。主要工藝過程：多晶矽——區熔或直拉——單晶矽棒——滾、切、磨、拋——矽片 矽晶圓（silicon wafer） 是一切集成...
Polanyi後來放棄了晶體塑性研究，成為哲學家；Taylor在單晶和多晶力學分析方面以及加工硬化方面做了大量工作。 Orowan堅持位錯研究，在位錯運動與其它位錯的互動作用以及晶體內部粒子對運動位錯阻礙的理論分析方面，提出了許多有重大影響的新思想。1939年，柏格斯(J.M. Burgers)提出用伯氏矢量表征位錯，同時引入了螺位錯。
經過上述處理，該發明可以採用純度為4、5N的單晶矽作為製造太陽能電池的材料，因而，可以利用冶金矽等純度較低的材料，降低了材料成本，有利於單晶矽太陽能電池的普及套用。權利要求 1.《一種製造太陽能電池的磷擴散方法》其特徵在於，包括如下步驟：（1）將待處理的單晶矽片在900～950℃氮氣氣氛下進行退火處理20～30...
2.2 從矽石到金屬矽，再到99.999999999%的高純矽44 2.2.1 從晶石原料到半導體元器件的製程44 2.2.2 從矽石還原為金屬矽46 2.2.3 多晶矽的析出和生長48 2.3 從多晶矽到單晶矽棒50 2.3.1 改良西門子法生產多晶矽 50 2.3.2 直拉法（Czochralski，CZ法）拉制單晶矽52 2.3.3 區熔法製作單晶矽54 2...
在加熱多晶棒端部形成熔區時，用比多晶棒小很多的籽晶引晶,然後以適當速度緩慢移動熔區,使多晶棒經熔融-凝固而長成單晶。培育金屬晶體還常採用布里奇曼(Bridgman)法，模子中的液態金屬緩慢進入低溫區而結晶成單晶。 在固態下培育單晶 根據形變數較小（相當於某臨界值）的多晶材料再結晶退火時，可以獲得很大晶粒的...
應當指出，織構不是對晶粒形狀的描述，而是表示多晶體金屬中各晶粒取向大致趨於一致的晶體結構特徵。完全理想的織構，其取向應當如同單晶。但實際多晶體金屬的織構中，晶粒取向的集中程度往往不很高。形成變形織構 金屬中晶粒的位向一般是無規則排列的，所以巨觀性能表現為各向同性。當金屬發生塑性變形時，各晶粒的晶格位...
高溫爐是國家標準節能型周期作業電爐，主要供合金鋼製品、各種金屬機件正火、淬火、退火等熱處理之用，或金剛石等切割刀片進行高溫燒結用途。套用行業 （1）熱加工、水泥、建材行業,進行小型工件的熱加工或處理。（2）醫藥行業：用於藥品的檢驗、醫學樣品的預處理等。（3）分析化學行業：作為水質分析、環境分析等領域的...
2022年,公司推出的適用於N型電池片的大尺寸超高速串焊機、以及N 型直拉式單晶爐,已獲得行業知名企業批量訂單,針對組件產品的降本需求所推出的SMBB超細焊絲多主柵串焊機也在2022年逐漸放量。截止2022年底，奧特維產品已覆蓋光伏產業鏈的拉棒、矽片、電池、組件四大環節，核心產品多主柵串焊機、矽片分選機擁有強勁的...
特別是在單晶和電晶體的製造、機械零件和表面淬火、鐵合金的熔煉和人造石墨的製造等方面，都採用電加熱方式。分類 根據電能轉換方式的不同，電加熱通常分為電阻加熱、感應加熱、電弧加熱、電子束加熱、紅外線加熱和介質加熱等。電阻加熱 利用電流的焦耳效應將電能轉變成熱能以加熱物體。通常分為直接電阻加熱和間接電阻...
