《矽光電倍增器的雪崩倍增過程研究》是依託華中科技大學,由D ASCENZO NICOLA擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名:矽光電倍增器的雪崩倍增過程研究
- 項目類別:青年科學基金項目
- 項目負責人:D ASCENZO NICOLA
- 依託單位:華中科技大學
《矽光電倍增器的雪崩倍增過程研究》是依託華中科技大學,由D ASCENZO NICOLA擔任項目負責人的青年科學基金項目。
《矽光電倍增器的雪崩倍增過程研究》是依託華中科技大學,由D ASCENZO NICOLA擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要矽光電倍增器(Silicon Photomultiplier,簡稱SiPM)是一種有潛力帶...
後脈衝:在雪崩擊穿過程中,大量的載流子在PN結附近形成,這些載流子會有一定的機率被能SiPM晶格中的缺陷所俘獲,俘獲的載流子釋放並激發新的雪崩倍增過程,因此產生的脈衝叫後脈衝。信號讀出電路設計 對於矽光電倍增管(MPPC;SiPM)的信號...
《藍紫光回響增強的大動態範圍矽光電倍增器的研究》是依託北京師範大學,由楊茹擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本實驗室(北京師範大學核科學與技術學院新器件實驗室)研製的矽光電倍增器(SiPM)利用Si襯底材料本身的體電阻作為雪崩...
矽光電倍增器是一種具有脈衝光子數分辨能力的單光子探測器,上世紀80年代末俄羅斯人第一次提出,是由數百至數萬個直徑為幾到幾十微米的雪崩光電二極體 (APD)單元陣列集成在同一個單晶矽片上構成。相比於傳統的光電倍增管(PMT),矽...
另外,本項目還提出研究將這種矽漂移探測器與一個蓋格APD組合而得到的一種新的雪崩漂移光探測器,將它用作矽光電倍增探測器的基本單元,預期能有效解決矽光電倍增探測器的探測效率及動態範圍較小,且二者不能兼顧的問題。
5.根據權利要求1所述的光電倍增管,其特徵在於,所述電子倍增器為微通道板、小型打拿極、半導體二級管或雪崩矽光電探測器,所述電子倍增器以上下兩組、左右兩組或各向多組布置的方式置於所述真空透光容器的內部中心處。6.根據權利要求...
2.3矽光電二極體、矽光電三極體特性參數測量實驗 2.4雪崩光電二極體特性參數測量實驗 2.5光電倍增管特性參數的測試 2.6彩色線陣CCD原理及驅動 2.7線陣CCD特性測量實驗 2.8熱釋電器件實驗 2.9色敏探測器實驗 2.10位置敏感探測器...