《矽中部分位錯演化的分子模擬》是2014年11月哈爾濱工程大學出版社出版的圖書，作者是王超營、武國勛、李晨亮、周躍發。
基本介紹
- 中文名：矽中部分位錯演化的分子模擬
- 作者：王超營、武國勛、李晨亮、周躍發
- 出版社：哈爾濱工程大學出版社
- 出版時間：2014年11月
- 頁數：89 頁
- 定價：17 元
- 開本：16 開
- 裝幀：平裝
- ISBN：9787566109392
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
矽是當代電子工業中套用最多的半導體材料之一 。隨著微電子技術的應 用，納米材料器件得到大力發展。矽及矽基納米器件 製備和使用過程中，失配 應變所產生的位錯不但關係到的材料的微納米力學性 能，還影響器件的光、電、 磁、熱等性能，是影響納米器件服役性能和解釋其失 效機理的重要方面。王超營、武國勛、李晨亮、周躍 發編著的《矽中部分位錯演化的分子模擬》 以矽鍺異質結構外延生長過程中產生的部分位錯為研 究背景，採用分子模擬方 法研究矽中部分位錯的運動特性以及與其他缺陷的相 互作用。
本書主要用於利用分子模擬方法對矽中位錯及缺 陷進行研究的同行之間 的交流，也可做為分子模擬方法入門的參考資料。
圖書目錄
第1章 緒論
1.1 矽中位錯的研究背景、目的和意義
1.2 矽鍺異質結構簡介
1.3 失配部分位錯的微觀結構
1.4 本書的主要內容
第2章 分子模擬原理及方法簡介
2.1 引言
2.2 第一性原理的基本理論
2.3 緊束縛理論（TB）
2.4 分子動力學方法
2.5 最低能量路徑尋找方法
2.6 周期性邊界條件
2.7 本章小結
第3章 30度部分位錯的運動特性
3.1 引言
3.2 分子動力學參數設定
3.3 30度部分位錯的彎結模型
3.4 彎結的運動過程
3.5 彎結的遷移勢壘
3.6 結果討論
3.7 本章小結
第4章 90度部分位錯的運動特性
4.1 引言
4.2 DP結構的運動特性
4.3 SP結構的運動特性
4.4 本章小結
第5章 90度部分位錯重構缺陷的運動特性
5.1 引言
5.2 模型建立及計算過程
5.3 單周期結構中重構缺陷的運動特性
5.4 雙周期結構中重構缺陷的運動特性
5.5 重構缺陷與彎結的相互作用
5.6 本章小結
第6章 空位的第一性原理及經驗勢函式的對比研究
6.1 引言
6.2 計算方法及參數設定
6.3 單空位的結構特性及形成能
6.4 雙空位的結構特性及形成能
6.5 六邊形空位環的結構特性及形成能
6.6 計算結果分析
6.7 本章小結
第7章 30度部分位錯與空位的相互作用
7.1 引言
7.2 計算方法及參數設定
7.3 分子動力學模型
7.4 30度部分位錯與單空位的相互作用
7.5 30度部分位錯與雙空位的相互作用
7.6 30度部分位錯與空位環的相互作用
7.7 30度部分位錯與空位相互作用的對比研究
7.8 本章小結
參考文獻
