發射結（emitter junction）是1993年公布的電子學名詞，出自《電子學名詞》第一版。
基本介紹
- 中文名：發射結
- 外文名：emitter junction
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
- 發布機構：全國科學技術名詞審定委員會
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
發射結
相關詞條
- 二維納米材料場致電子發射
此項研究將建立二維場電子發射的系統理論，為實現新型的一維真空電子源、電子全息和平行電子刻蝕器件提供理論依據。結題摘要 本項目以建立二維場電子發射的系統理論為目標，研究二維納米結構在外電場幫助下電子發射的基本規律和特有現象，重點...
- 共發射極放大器
為輸出信號提供能量，並保證發射結處於正向偏置、集電結處於反向偏置，使電晶體工作在放大區。UCC取值一般為幾伏到幾十伏。2.電晶體V是放大電路的核心元件 利用電晶體在放大區的電流控制作用，即i = βi的電流放大作用，將微弱的電信...
- 集成二極體
電晶體的發射結正偏，即向基區注入少數載流子，同時，由於這些載流子又不能流出集電極，則將導致集電結上產生出較大的浮空電勢（正偏），從而在基區中有大量的存儲電荷，使得二極體的開關速度較低；並且，由於集電結的這種正偏作用也...
- 雙極性電晶體
異質結是PN結的一種，這種結的兩端由不同的半導體材料製成。在這種雙極性電晶體中，發射結通常採用異質結結構，即發射極區域採用寬禁帶材料，基極區域採用窄禁帶材料。常見的異質結用砷化鎵（GaAs）製造基極區域，用鋁-鎵-砷固溶體（Al...
- 集電極
三極體中，從三個區引出相應的電極，分別為基極b，發射極e和集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。簡介 三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部 分...
- 電晶體輸出
發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。在電路符號上PNP型管發射極箭頭向里，NPN型管發射極箭頭向外，表示電流方向。基極電流Ib一定時，晶體三極體的Ic和Uce之間的關係曲線叫做輸出特性曲線。曲線以Ic（mA...
- 截止狀態
當發射結電壓低於死區電壓，基極電流很小，以至I=0時，集電極電流減小到穿透電流的數值I。I一般不大，它在負載電阻上的壓降很小，因此集電極與安射極間的電壓降U接近於電源電壓，此時電晶體的等效內阻 很大，這相當於開關的斷開狀態。...
- 三極體
當加在三極體發射結的電壓大於PN結的導通電壓,並當基極電流增大到一定程度時,集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大,而是處於某一定值附近不怎么變化,這時三極體失去電流放大作用,集電極與發射極之間的電壓很小,集電極和發射極之間相當於...
- 偏置電路
這些外部電路，為發射極（e極）與基極（b極）之間（即發射結）提供正向偏置電壓；為基極（b極）與集電極（c極）之間（即集電結）提供反向偏置電壓，偏置電路可理解為，設定電晶體PN結正、反電壓的電路，偏置電路為電晶體基極（b極）...
- BJT擊穿電壓
這是集電極開路時、發射極與基極之間所能承受的最高反向電壓，實際上也就是發射結的擊穿電壓。因為發射結兩邊的摻雜濃度都較高，一般都可以近似為單邊突變結，則在雪崩擊穿機理起決定作用的情況下，擊穿電壓主要由低摻雜一邊——基區的...
- 基極
不論那種晶體三極體，都有三個區，中間一層叫做基區，左邊一層叫發射區，右邊一層叫集電區。相應地從三個區引起的三個電極分別叫發射極e、基極b和集電極c。晶體三極體有兩個pn結： 發射結和收集結; 分為3個區： 發射區、基區和...
- hbt
按異質結數目：單異質結電晶體（SHBT）---只有發射結為異質結的HBT 雙異質結電晶體（DHBT）---發射結合集電結均為異質結的HBT 按發射結和基區結構：突變發射結HBT緩變發射結HBT突發發射結緩變基區HBT緩變發射結緩變基區HBT 2、...
- 現場報警器
它的普通雙極電晶體十分相似，都是由兩個十分靠近的p-n結---發射結和集電結構成，並均具有電流發大作用。為了充分吸收光子，光電三極體則需要一個較大的受光面，所以，它的回響頻率遠低於光電二極體。[1]結構與原理 光電三極體是一種...
- 突變pn結
實際的突變結，兩邊的雜質濃度差很多，通常稱這種結為單邊突邊結（記為p n，或n p）。如果一邊的摻雜濃度遠大於另一邊（如：） ，則p-n結勢壘區主要是在輕摻雜一邊，這種突變結即稱為單邊突變結（）。例如BJT的發射結往往就可以...
- OCL
圖中VT1為NPN型電晶體，VT2為PNP型電晶體，當輸入正弦信號ui為正半周時，VT1的發射結為正向偏置，VT2的發射結為反向偏置，於是VT1管導通，VT2管截止。此時的ic1≈ie1流過負載RL。當輸入信號ui為負半周時，VT1管為反向偏置，VT2為...
- 晶體閘流管
當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由於足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大係數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，並提高了PNP管的電流放大係數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射...
- 電激發表面等離激元
.本項目擬在以前成果的基礎上，首先理論研究發光體（emitters,如，有機分子，半導體量子點和二維量子阱）與金屬界面（納結構）之間的相互作用規律，研算電激發SPP自發發射的理論極限效率和SPP受激發射的閾值條件；然後在實驗上製作若干種...
- 並行計算機系統結構與可擴展計算
2.1.2 多發射結構 2.1.3 T9000Microprocessor和Itanium2 2.1.4 功耗與節能 2.1.5 多核處理器 2.2 存儲牆問題 2.3 範例與習題 第3章 性能評測 3.1 並行機性能參數 3.2 加速比性能評測 3.2.1 Amdahl定律 3.2.2 ...
