《發光二極體外延片製備方法》是華燦光電（浙江）有限公司於2021年3月16日申請的專利，該專利公布號為CN112993100A，專利公布日為2021年6月18日，發明人是徐西賢、曹陽。
基本介紹
- 中文名：發光二極體外延片製備方法
- 申請公布號：CN112993100A
- 申請公布日：2021.06.18
- 申請號：2021102812761
- 申請日：2021.03.16
- 申請人：華燦光電（浙江）有限公司
- 地址：322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號
- 發明人：徐西賢; 曹陽
- Int. Cl.：H01L33/10(2010.01)I; H01L33/12(2010.01)I; H01L33/00(2010.01)I
- 專利代理機構：北京三高永信智慧財產權代理有限責任公司11138
- 代理人：呂耀萍
專利摘要
本公開提供了發光二極體外延片製備方法，屬於發光二極體製作領域。在襯底上生長疊氮化銣層，疊氮化銣層具有部分金屬反光特性，更多的光線從p型層的一側出射，提高發光二極體的發光效率。疊氮化銣層本身也起到一定的過渡作用，發光二極體外延片的底層質量也不會很差，保證最終得到的發光二極體外延片的質量。同時疊氮化銣層上具有多個相互間隔的且延伸至襯底表面的凹槽，凹槽之間的疊氮化銣層起到間隔與阻擋位錯作用，使得疊氮化銣層上生長的外延膜層在凹槽內快速沉積生長，且質量也較好，提高最終得到的發光二極體外延片質量的同時有效提高發光二極體外延片的發光效率。
