《用於材料製備的高溫電離氣體反應器中的輸運過程研究》是依託清華大學,由陳熙擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:用於材料製備的高溫電離氣體反應器中的輸運過程研究
- 依託單位:清華大學
- 項目負責人:陳熙
- 項目類別:面上項目
- 批准號:59376308
- 申請代碼:E0603
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:1994-01-01 至 1996-12-31
- 支持經費:7.9(萬元)
《用於材料製備的高溫電離氣體反應器中的輸運過程研究》是依託清華大學,由陳熙擔任項目負責人的面上項目。
《用於材料製備的高溫電離氣體反應器中的輸運過程研究》是依託清華大學,由陳熙擔任項目負責人的面上項目。項目摘要本項目對高溫電離氣體反應器和發生器中的流動與傳熱進行了系統性的數值模擬研究,研究中採用了隨溫度變化的電漿物性...
物理力學的一個分支,主要研究氣體在高溫條件下的物理、力學性質,包括熱力學平衡性質、輸運性質、輻射性質以及與動力學過程有關的各種弛豫現象。簡介 物理力學的一個分支,主要研究氣體在高溫條件下的物理、力學性質,包括熱力學平衡性質、輸運性質、輻射性質以及與動力學過程有關的各種弛豫現象。它既涉及物質的微觀結構...
中國於1985年左右,由中國航天工業部航空材料研究所研製成功爆炸噴塗設備,就Co/WC塗層性能來看,噴塗性能與美國聯合碳化物公司的水平接近。在爆炸噴塗中,當乙炔含量為45%時,氧-乙炔混合氣可產生3140℃的自由燃燒溫度,但在爆炸條件下可能超出4200℃,所以絕大多數粉末能夠熔化。粉末在高速槍中被輸運的長度遠大於等離子...
電漿是解離的高溫導電氣體,可提供反應活性高的狀態。電漿溫度4000~10999℃,其氣態分子和原子處在高度活化狀態,而且等離子氣體內離子化程度很高,這些性質使得電漿成為一種非常重要的材料製備和加工技術。電漿加工技術已得到較多的套用,例如電漿CVD、低溫電漿PBD以及電漿和離子束刻蝕等。等離子...
①即使在1000℃氮與鎵也不直接反應。在氨氣流中於1050~1100℃下加熱金屬鎵30min可製得疏鬆的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態金屬,並促使與氮化劑的接觸。②在乾燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可製得GaN。材料生長製備 GaN材料的生長是在高溫下,通過TMGa分解出的Ga與NH₃的化學反應...
熱電漿發生器中的傳熱與流動和電磁場相互耦合,大溫差導致氣體的熱物理性質有大幅度的變化,氣體電離度在空間顯著變化導致電離一複合反應參與能量輸運過程,與電漿接觸的物體(如原料顆粒)會因電子與離子質量間的巨大差異而帶電等,都是一些顯而易見的特點。這些特點使熱電漿條件下的傳熱與流動具有比常溫...
射頻低溫電漿是利用高頻高壓使電極周圍的空氣電離而產生的低溫電漿。由於射頻低溫等離子的放電能量高、放電的範圍大,已經被套用於材料的表面處理和有毒廢物清除和裂解中。射頻等離子可以產生線形放電,也可以產生噴射形放電。滑動電弧放電(Glide Arc Discharge or PlasmaArc)產生低溫電漿 滑動電弧放電電漿...
一、基於現代加速器和強雷射的聚變科學:1. 離子束驅動高能量密度物理;2. 離子束在電漿中的能損與輸運;3. 超高時空分辨透射成像和電漿光譜診斷。二、原子與分子物理、低能核物理:1. 離子與原子分子碰撞、電荷交換及光譜分析;2. 高電荷態離子物理,微納離子束;3. 氫硼聚變,極端條件下的低能核反應...
入射光儘可能多地進入i區,最大限度地被吸收,並有效地轉換為電能,因此對i區要求是既保證最大限度地吸收入射光,又要保證光生載流子最大限度地輸運到外電路。非晶體矽結構的長程無序破壞了晶體矽電子躍遷的動量守恆選擇定則,相當於使之從間接帶隙材料變成了直接帶隙材料。它對光子的吸收係數很高,通常0.5μm ...
研究電介質擊穿有重要的科學意義和實用價值。它涉及材料的物質結構、雜質缺陷、能帶結構、強場下的載流子輸運過程、弛豫機制以及電子與聲子、電子與電子間的相互作用等。在實用上,它關係到高電壓輸送與變換、高能粒子加速器、強雷射與物質相互作用以及強場下半導體、電介質的大容量儲能和大功率換能等。研究電介質巨觀介...
通過高功率質子束流轟擊重金屬靶產生高通量中子用於開展中子散射研究,CSNS是世界上第四台、開發中國家第一台脈衝型散裂中子源。CSNS包括高功率強流質子加速器、中子靶站和中子譜儀以及相應的配套設施等。加速器由80 MeV負氫直線加速器、1.6 GeV快循環同步加速器及相應的束流輸運線組成。
處在環狀磁場中的電漿的輸運係數首先由聯邦德國的D.普菲爾施等作了研究(1962),他們給出在密度較大區的擴散係數,蘇聯的A.A.加列耶夫等給出了密度較小區的擴散系散(1967),這一理論適用於托卡馬克這類環狀磁約束電漿中的輸運過程被命名為新經典理論。自從蘇聯在1957年發射了第一顆人造衛星以後,很多國家...
,式中n、me和e分別為電子的密度、質量和電荷,v為電子和離子的碰撞頻率。 輸運係數通常用福克-普朗克方程計算。低溫電漿,即溫度為幾千攝氏度的高溫電離氣體,它的電離度仍很低,自由電子數隻占全部粒子數的一個很小部分,因而帶電粒子主要是和中性粒子發生碰撞。這種電漿的輸運係數和完全電離的電漿相差...
半導體磁流體動力學模型是一類出現在半導體器件科學中的巨觀流體動力學方程組,它是在自相容電磁場的影響下描述電子和離子的,刻畫了高頻率條件下運轉的半導體器件其內部電了的輸運過程。模型方程組是由電子的質量和速度的守恆律方程禍合電磁場的Maxwell方程構成的。目前對半導體磁流體動力學模型已經有非常多的研究。就...