王永鴻教授在國家半導體材料工程研究中心研發砷化鎵單晶材料近40年，進行過HB（水平布里幾曼）法、LEC（液封直拉）法、VGF（垂直梯度凝固）法、MCZ法和VCZ（蒸汽壓控制直拉）法等多種砷化鎵單晶生長技術的研究
基本介紹
- 中文名：王永鴻
- 畢業院校：東北大學
- 研發項目：砷化鎵單晶材料
- 工作單位：大慶佳昌科技有限公司
個人信息,工作簡歷,主要成績,
個人信息
姓名：王永鴻
性別：男
出生日期：1935/12
技術職稱：教授級高工
職務：技術總監
畢業學校：東北大學
最高學位：本科
所學專業：稀有金屬
從事專業：GaAs材料
工作單位：大慶佳昌科技有限公司
通訊地址：大慶市高新技術開發區產業三區
郵政編碼：163316
工作簡歷
曾在有色金屬研究總院主持“六五”至“九五”8項國家重點科技攻關項目的全部工作
1、 三項國家計委、國家科技部重點科技攻關項目
2、 一項國家“863”科技攻關項目
3、 三項國防科工委重點科研項目
4、 一項國家自然科學基金項目
主要成績
被聘為部教授級高級工程師，任中國有色金屬學會半導體材料委員，是《中國材料科學技術百科全書》半導體材料編委成員，曾是北京有色金屬研究總院學位評審委員會委員，是本學科學術帶頭人之一，曾指導碩士生研究生4名，博士研究生1名。
發表論文20餘篇，其中《高電子遷移率低位錯高純半絕緣GaAs單晶》等2篇被評為88、91年中國有色金屬學會優秀論文。
1997年11月15日，原國家計委將VCZ法項目列入“九 · 五”國家重點科技攻關計畫（計科技[1997]2253號），王永鴻教授任項目組組長。並獲部級成果六項，通過國家級驗收三項。
2001年4月18日原國家計委委託科技部組織專家對該項目進行驗收，結論為“該VCZ法生長GaAS單晶技術達到世界先進水平，填補了國內空白”、“對發展我國半導體高新技術具有十分重大的意義”。該項目同時獲得四項多國（日本、歐盟、美國、中國）專利。
