王曦(材料科學家、中科院院士)

王曦，1966年8月出生於上海，半導體材料學專家，中國科學院院士，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員、博士生導師、所長，中國科學技術協會第九屆全國委員會副主席，中國科學院上海高等研究院院長。

1987年王曦從清華大學畢業後進入中國科學院上海冶金研究所學習，先後獲得碩士、博士學位；1996年作為訪問學者前往德國羅森多夫研究中心；1998年回國擔任離子束國家重點實驗室主任，同時擔任“高端矽基SOI材料”製備研究項目的負責人；1999年獲得國家傑出青年科學基金資助；2001年參與創建了上海新傲科技有限公司；2007年出任上海新傲科技股份有限公司董事長，並擔任“極大規模積體電路製造技術及成套工藝”科技重大專項總體專家組副組長；2009年當選中國科學院院士；2010年當選為第11屆中華全國青年聯合會副主席；2012年被聘為上海市決策諮詢委員會成員；2016年當選中國科學技術協會第九屆全國委員會副主席；2017年出任中國科學院上海高等研究院院長；2018年出任亞洲科學理事會主席。

王曦致力於載能粒子束與固體相互作用物理現象的研究，包括先進電子材料和功能薄層材料的研究與開發以及表面工程等。

基本介紹

• 中文名：王曦
• 國籍：中國
• 民族：漢族
• 出生地：上海
• 出生日期：1966年8月
• 職業：教學科研工作者
• 畢業院校：中國科學院上海冶金研究所
• 主要成就：2009年當選中國科學院院士
• 籍貫：江蘇南通
• 政治面貌：中共黨員

人物經歷

1966年8月，王曦出生於上海，原籍江蘇南通。1983年，從江蘇省南通中學畢業，並考入清華大學工程物理系。

1987年，提前畢業並保送到中國科學院上海冶金研究所（現中國科學院上海微系統與信息技術研究所，簡稱上海微系統所），主攻離子注入方向，先後獲得碩士（1990年）、博士學位（1993年）。

1993年，博士畢業後留所工作，先後擔任助理研究員、副研究員、室副主任、研究員（1996年破格晉升）、博士生導師（1998年-）、室主任、所長助理。

1993年7月，赴澳大利亞聯邦科學與工業研究院訪問學者（至1994年5月）。

1996年5月，前往歐洲最大的離子束材料研究基地德國羅森多夫研究中心做洪堡訪問學者。

1998年6月，等不及還有一年才結束的洪堡訪問學者研究，回國競聘成為離子束國家重點實驗室主任，同時擔任“高端矽基SOI材料”製備研究項目的負責人。

1999年，獲得國家傑出青年科學基金資助。

2001年7月，上海微系統所發起成立了上海新傲科技有限公司，王曦和SOI課題組的幾位骨幹一同進入公司。

2004年4月，出任上海微系統所黨委副書記兼副所長。

2007年1月，出任上海微系統所黨委書記兼副所長，上海新傲科技股份有限公司董事長，國家中長期科學與技術發展規劃“極大規模積體電路製造技術及成套工藝（02專項）”科技重大專項總體專家組副組長。

2009年3月，擔任上海微系統所黨委書記、常務副所長，法定代表人。12月，當選中國科學院院士（技術科學部）。

2010年8月26日，當選為第十一屆全國青年聯合會副主席，擔任科學技術界別工作委員會主任委員。

2012年，被聘為上海市決策諮詢委員會成員。

2013年5月，在上海市科委和嘉定區支持下，在嘉定註冊成立上海微技術工業研究院，參考比利時IMEC和台灣工研院ITRI等模式，建立集研發、工程、資訊、孵化及投資於一體的產業加速體系。

2016年6月2日，中國科協第九次全國代表大會舉行第九屆全委會第一次會議，王曦當選中國科學技術協會第九屆全國委員會副主席。

2017年5月，出任中國科學院上海高等研究院院長。

2018年6月，出任亞洲科學理事會主席（至2020年6月）。

主要成就

科研成就

• 科研綜述

王曦長期致力於載能離子束與固體相互作用物理現象研究，並將研究成果套用於電子材料SOI（Silicon-on-insulator）的開發。在對離子注入SOI合成過程中的物理和化學過程研究基礎上，自主開發了一系列將SOI材料技術產業化的關鍵技術，建立了中國SOI材料研發和生產基地。2008年製備出中國第一片8英寸鍵合SOI晶片，實現了SOI晶片製備技術的重要突破。在載能離子束與固體相互作用以及離子束輔助薄膜沉積技術研究方面，揭示了載能離子作用下薄膜表面微結構、相組分、電子學、光學、生物學特性，實現了載能離子束薄膜生長的可控制性。

• 科研項目&成果獎勵

截至2017年，王曦主持完成了包括國家“863”計畫“超大規模積體電路配套材料”重大專項項目在內的多個國家級項目，並獲得上海市科學技術進步一等獎，國家科技進步一等獎，中國科學院傑出科技成就獎等。

成果獎勵

時間	項目名稱	獎勵名稱	來源
2005年		上海市科學技術進步一等獎（排名第一）
2006年	高端矽基SOI材料研究和產業化	國家科技進步一等獎（排名第一）
2007年		中國科學院傑出科技成就獎（排名第一）

人才培養

截至2012年，王曦在中國科學院上海微系統與信息技術研究所（原中國科學院上海冶金研究所）一共培養博士生10多名，碩士生4名。根據中國科學技術信息研究所、國家工程技術數字研究館信息、全國圖書館參考諮詢聯盟，王曦培養學生情況如下：

年度	題目	作者	學位
2012	0.13微米SOI工藝仿真及PD SOI器件特性研究	羅傑馨	博士
2011	SOI基平板光子晶體製備與自準直效應研究	楊志峰	博士
2011	體矽及絕緣體上應變矽、應變儲矽製備技術研究	薛忠榮	博士
2011	PDSOI MOS器件總劑量輻射效應和FDSOI高遷移率MOS器件研究	俞文杰	博士
2009	不同源CMOS/SOI器件的總劑量輻射異同性研究及ESD保護電路的設計	田浩	博士
2009	SOI基光耦合器與二維光子晶體研究	方娜	碩士
2008	SOI微機械結構和相關器件研究	武愛民	博士
2008	PD CMOS/SOI抗輻射54HC電路設計及製造	賀威	博士
2004	改性碳納米管及其場發射性能研究	張繼華	博士
2004	圖形化SOI技術研究	董業民	博士
2002	新型氮氧複合埋層SOI及其抗總劑量輻照研究	劉相華	碩士
2002	LFRF-PECVD法製備碳納米管材料的工藝、微結構及場發射性能的研究	於偉東	博士
2001	SOI圓片線位錯和針孔密度及PIII新技術的研究	鄭望	碩士
2000	真空磁過濾弧沉積非晶金剛石薄膜及其在生物醫學材料領域中的套用研究	俞柳江	碩士
2000	場發射平板顯示器陽極螢光材料及器件的研究	李煒	博士
2000	SOI圓片製備技術研究	陳猛	博士
1997	真空磁過濾弧沉積薄膜合成及其性能研究	趙建平	博士

榮譽表彰

時間	榮譽/表彰	來源
1998年	國務院頒發的政府特殊津貼
2008年	何梁何利基金科學與技術進步獎
2008年	第八屆中國科學院傑出青年
2009年12月	中國科學院院士
2017年5月	全國創新爭先獎
2017年	上海市科技功臣獎
	上海市優秀科研院所長獎
	上海市領軍人才
	“十一五”國家科技計畫執行突出貢獻獎

社會任職

時間	擔任職務	來源
——	國家科技重大專項“極大規模積體電路製造裝備及成套工藝”技術副總師
2017年10月	中國共產黨第十九屆中央委員會候補委員
——	中國材料研究學會青年委員會
	上海市半導體材料專業委員會主任
	上海市真空學會等常務理事
	復旦大學重點實驗室學術委員會委員
	中科院上海原子核研究所重點實驗室學術委員會委員
	中科院上海微系統與信息技術研究所重點實驗室學術委員會委員
	中科院上海矽酸鹽研究所重點實驗室學術委員會委員

人物評價

王曦是中國高端積體電路襯底材料的主要開拓者和領軍人物，他長期致力於載能離子束與固體相互作用物理現象研究，並將其套用於高端積體電路襯底材料SOI的開發，解決了中國急需的航天電子器件的“有無”問題；基於這一核心技術創建了中國唯一的SOI材料研發和生產基地，成功實現了中國SOI材料的產業化，推動了中國微電子材料的跨越式發展。（中國科學院上海分院評）