《物理化學氣相沉積法生長MgB2厚膜的研究》是依託北京大學，由馮慶榮擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：物理化學氣相沉積法生長MgB2厚膜的研究
- 項目負責人：馮慶榮
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：50572001
- 申請代碼：E0209
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
在我們首先於國際上用混合物理化學氣相沉積法（HPCVD）製備出不鏽鋼襯底MgB2超導薄膜的基礎上，通過進一步研究清楚厚膜的熱力學和反應擴散過程，生長不同厚度膜的超導電性和微結構的關係，襯底和隔離層的關係，膜中摻雜的問題等，為用此方法生長MgB2 長線（帶）打下堅實的基礎。以期在今後的三到四年期間為製造2T的可替代現在醫用核磁共振成像儀中所用的低溫Nb3Sn帶和NbTi線做的超導磁體的MgB2超導磁
