無雜質型半導體

無雜質型半導體（intrinsic semiconductor，亦稱作i型半導體）是指未摻入雜質的半導體。半導體製作過程中的一個重要步驟就是摻入雜質（doping）。相對於無雜質型半導體，含有雜質的半導體叫做含雜質型半導體（extrinsic semiconductor）。

基本介紹

• 中文名：無雜質型半導體
• 外文名：intrinsic semiconducto

半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或矽晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺(或矽)原子形成共價結合，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近。