無損耗、各向同性負折射率介質新機理研究

無損耗、各向同性負折射率介質新機理研究

《無損耗、各向同性負折射率介質新機理研究》是依託昆明理工大學,由趙順才擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

  • 中文名:無損耗、各向同性負折射率介質新機理研究
  • 項目類別:青年科學基金項目
  • 項目負責人:趙順才
  • 依託單位:昆明理工大學
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

無損耗和各向同性是當前國際上利用負折射率介質實現超高解析度的超透鏡和隱身斗篷的兩個瓶頸。本項目在我們前期利用量子光學理論實現了光頻段負折射率的操控可能性的工作基礎之上,針對當前國際上採用最佳化負折射率介質設計結構和利用增益介質補償損耗的方法僅獲得較低損耗和各向異性的負折射率介質的研究現狀,提出一種原子水平的、具有天然各向同性的、無損耗負折射率介質新方案:(1)研究以原子氣和量子點構成的光子共振材料實現負折射率介質中損耗產生和消除的各種可能機制,(2)研究具有手性特徵介質實現負折射率頻段損耗產生和消除的可能機制;從而建立新的無損耗、各向同性負折射率介質的研究理論。本研究不僅能為超高解析度的超透鏡和隱身斗篷的試驗研究提供理論參考和科學依據;而且可推動當前國際負折射率介質深層次理論與套用基礎問題的發展。

結題摘要

本項目基於量子光學理論研究了無吸收、各向同性負折射係數介質的實現機理。研究了電磁誘導固態手性介質負折射率實現條件和機理:研究一個被36 nm Al0.4gIn0.52As摻雜的4.8 nm In0.47Ga0.53As /0.2 nm, Al0.48In0.52As/4.8 nm In 0. 47Ga0.53As半導體量子阱納米結構,在耦合雷射場、探測電場和探測磁場共同驅動下,實現負折射率介質的條件和可能性;利用實現光子共振材料的研究方法,研究了GaAs/AlGaAs 三量子點異質結構中實現負折射率介質和消除吸收的可能機制;通過引入正交駐波場,研究了光子共振材料在x-y二維平面負折射係數分布特點;並通過數值模擬獲得了實現各向同性、負折射率介質的條件。本項目研究結果可為實現無損耗、各向同性負折射率介質的研究提供理論參考。在本項目資助下,發表學術論文8篇,其中SCI收錄6篇,核心期刊2篇;參加國內學術會議1人次;1位青年教師晉升為副教授職稱;培養碩士研究生2名(其中1人已經畢業,1人在讀)。

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