漏區（drain region）是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名：漏區
- 外文名：drain region
- 所屬學科：電氣工程
- 公布時間：1998年
公布時間,出處,
公布時間
1998年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電氣工程名詞》第一版。
漏區
相關詞條
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- 電晶體亞閾狀態
它的“源區(n+)-襯底(p)-漏區(n+)”即自然地構成了一個n+-p-n+雙極型電晶體（基區寬度為溝道長度）；而柵-源電壓的作用，使得半導體表面發生弱反型（產生表面勢ys），即導致襯底表面附近處的電子能量降低；而源-漏電壓又在p型區表面附近處產生電子的漂移電場，即導致源-漏之間的能帶傾斜。
- bvds
..擊穿電壓 功率MOSFET電壓以漏極擊穿電壓(BVDS)指標,它表示漏區溝道體區PN結所允許的最高反偏電壓,影響BVDS的因素是漏極PN結的雪崩擊穿機構和表面電場效應。車輛節制系統 ...（BTMS）、先進的公共運輸系統（BPTS）、電子收費系統（ETD）、緊迫救援系統（EMS）、貨運管理系統、先進的車輛節制系統（BVDS）等。
