淺層沉澱理論是哈真提出的理論。
基本介紹
- 中文名：淺層沉澱理論
- 提出者：哈真
- 前提：理想狀態下
- 提出時間：20世紀初
- 公式：L/H=V/ u0
設斜管沉澱池池長為L，池中水平流速為V，顆粒沉速為u0，在理想狀態下，L/H=V/ u0。可見L與V值不變時，池身越淺，可被去除的懸浮物顆粒越小。若用水平隔板，將H分成3層，每層層深為H/3，在u0與v不變的條件下，只需L/3，就可以將u0的顆粒去除。也即總容積可減少到原來的1/3。如果池長不變，由於池深為H/3，則水平流速可正加的3v，仍能將沉速為u0的顆粒除去，也即處理能力提高倍。同時將沉澱池分成n層就可以把處理能力提高n倍。這就是20世紀初，哈真（Hazen）提出的淺池理論。
