基本介紹
- 中文名：海思半導體
- 外文名：Hisilicon
- 成立日期：2004年10月18日
- 前身：華為積體電路設計中心
- 總部：深圳
- 主要產品：海思麒麟95X/93X/92X/91X/62X
- 企業地址：深圳市龍崗區坂田華為基地華為電氣生產中心
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海思大事記
2014年12月3日，海思發布64位8核晶片——麒麟620（kirin620）,搭載於榮耀暢玩4X/4C、華為P8青春版.
2014年10月13日，海思發布海思麒麟928晶片，並搭載於華為榮耀6至尊版
2014年9月4日，海思發布超八核海思麒麟925晶片，4個ARM A7核，4個ARM A15核，加一個協處理器，內建基帶支持LTE Cat.6標準網路，搭載於華為mate7、榮耀6Plus
2014年6月海思發布八核海思麒麟920晶片，並於當月搭載於華為榮耀6上市
2014年5月 海思發布四核麒麟910T（kirin910T），搭載於華為P7
2012年2月 在巴塞隆納CES大會，海思發布四核手機處理器晶片K3V2，並搭載與Ascend D上市
2008年6月 海思參加2008台北國際電腦展覽會（COMPUTEX TAIPEI）
2008年3月 海思發布全球首款內置QAM的超低功耗DVB-C單晶片
2008年3月 海思參加第十六屆中國國際廣播電視信息網路展覽會（CCBN2008）
2007年11月 海思參加2007中國國際社會公共安全產品博覽會
2007年8月 海思參加GDSF CHINA 2007
2007年8月 海思參加IC China 2007
2007年3月 海思參加第十五屆中國國際廣播電視信息網路展覽會（CCBN2007）
2006年10月 海思參加2006中國國際社會公共安全產品博覽會
2006年6月 海思參加2006第10屆中國國際軟體博覽會
2005年11月 海思參加安防展，艾總面對眾多安防廠家發表演講
2004年10月 深圳市海思半導體有限公司註冊，公司正式成立
2003年底 海思第1塊千萬門級ASIC開發成功
2002年 海思第1塊COT晶片開發成功
2001年 WCDMA基站套片開發成功
2000年 海思第1塊百萬門級ASIC開發成功
1998年 海思第1塊數模混合ASIC開發成功
1996年 海思第1塊十萬門級ASIC開發成功
1993年 海思第1塊數字ASIC開發成功
1991年 華為ASIC設計中心（深圳市海思半導體有限公司前身）成立
榮譽與貢獻
2014年6月，推出全球首個Cat6晶片——海思麒麟920.
2009年6月 推出採用Mobile 智慧型作業系統的K3平台。
2006年4月 通過ISO9001認證。
2006年2月 通過深圳市高新技術企業資質認定。
2005年12月 通過積體電路設計企業認定。
2005年10月 通過商用密碼產品生產定點單位認定。
2005年1月 國內第一個自主開發的10G NP（Network Processor）投片。
2004年10月 320G交換網套片和10G協定處理晶片開發成功，標誌著海思半導體已掌握高端路由器的核心晶片技術。
2003年11月 推出全球領先的高端光網路晶片。該晶片採用0.13um工藝，設計規模超過1300萬門。海思半導體已掌握光網路領域的核心晶片技術，並開始處於領先地位。
2001年3月 國內第一個推出WCDMA基站套片，標誌著海思半導體已站在3G技術最前沿。
