《氮化鎵基量子異質結構和發光性質》是依託北京大學，由胡曉東擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氮化鎵基量子異質結構和發光性質
- 項目負責人：胡曉東
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60776042
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：34（萬元）
項目摘要
以氮化物半導體低維異質結構，特別是InGaN/GaN量子阱為對象，開展氮化鎵基低維半導體受限體系的發光機制研究。運用飛秒近場系統具有的飛秒時間分辨和納米空間分辨的實驗手段，分析GaN基低維量子結構的時間和空間上的四維超高分辨光譜，探討半導體中載流子或激子的動態馳豫、輻射複合、缺陷捕獲、擴散漂移等動力學過程；深入理解輻射複合和非輻射複合過程的物理本質；研究和揭示量子受限結構的光致發光機制、以及更複雜的電發光機制及影響電發光效率的關鍵因素，加深對量子阱中的電子－電子，電子－光子相互作用以及雷射器激射機制的認識；充分最佳化我們已提出的新型氮化物應變數子阱發光結構；研究提高量子阱電致發光效率的新原理、新技術或新結構；並研究以此新型應變數子阱為有源區的GaN基雷射器的閾值行為、模式特性及激射機制等。摸索出改善GaN基量子阱雷射器量子效率的主要途徑。為實現我國GaN基雷射器的實用化作出貢獻。
