《氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術》，是依託於西安電子科技大學等單位，由郝躍等人完成的科研項目。
《氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術》，是依託於西安電子科技大學等單位，由郝躍等人完成的科研項目。參與情況主要完成人：郝 躍，李培鹹，林科闖，李晉閩，張國華，王軍喜，馬曉華，閆建昌，蔡偉智，高 英主要完成單位：西安電子科...
氮化鎵基發光二極體，電子學術語，GaN 是一種寬頻隙化合物半導體材料，具有發射藍光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐鹼、耐腐蝕等特點，是繼鍺、矽和砷化鎵之後最主要的半導體材料之一。使得它在藍光和紫外光電子學技術領域占有重要地位，也是製作高溫、大功率半導體器件的理想材料。1背景介紹 半導體材料的發展 半導體...
在探測器方面，已研製出GaN紫外探測器，波長為369nm，其回響速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處於起步階段。GaN探測器將在火焰探測、飛彈預警等方面有重要套用。感測器 氮化鎵可以用於製造高精度和高靈敏度的壓力感測器，當外界施加壓力時，氮化鎵的電學特性會發生變化，可以通過測量其電阻、電容或場效應等參數...
《氮化鎵基發光二極體晶片設計與製造技術》共10章，內容包括：LED的發展歷史與研究現狀，LED工作原理與LED光學、電學和色度學參數，壓電極化與量子限制斯塔克效應，藍光/綠光/紫外LED外延結構設計與材料生長，LED晶片製造工藝，LED晶片電流擴展特性，水平結構/倒裝結構/高壓LED晶片設計和製造，LED晶片失效機理與可靠性分析，...
，獲2009年度國家技術發明獎，二等獎。《高亮度GaN藍光LED技術》，獲2005年度陝西省科學技術獎，一等獎。《氮化物半導體器件材料技術》，獲2011年度陝西省科學技術獎，一等獎。《氮化鎵紫外LED技術》，獲2014年度陝西省科學技術獎，一等獎。《氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術》，獲2015年度國家科學就進步獎，二等獎。
（5） 氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術, 二等獎, 國家級, 2015 （6） 低熱阻高光效藍寶石基GaN LED材料外延及晶片技術, 二等獎, 國家級, 2014 （7） 高功率全固態雷射器關鍵技術及套用研究, 二等獎, 省級, 2014 （8） 採用全光學膜體系的垂直結構發光二極體製作方法, 部委級, 2014 （9） 高性能大功率...
