《氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法》是2023年2月1日開始實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名：氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法
- 外文名：Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
- 標準類別：方法
- 標準號：GB/T 41751-2022
編制進程,起草工作,
編制進程
2022年10月14日，《氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法》發布。
2023年2月1日，《氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法》實施。
起草工作
主要起草單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第四十六研究所、哈爾濱奧瑞德光電技術有限公司、廈門柯譽爾科技有限公司、山西華晶恒基新材料有限公司、福建兆元光電有限公司。
主要起草人 ：邱永鑫、徐科、王建峰、任國強、李騰坤、左洪波、鄭樹楠、劉立娜、楊鑫宏、鄺光寧、丁崇燈、陳友勇。
