氮化鎵半導體低維結構中子帶間集體激發過程的研究

《氮化鎵半導體低維結構中子帶間集體激發過程的研究》是依託北京交通大學，由呂燕伍擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：氮化鎵半導體低維結構中子帶間集體激發過程的研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：呂燕伍
• 依託單位：北京交通大學

項目摘要

氮化鎵半導體低維結構中子帶間集體激發問題，涉及面廣，理論和實驗內容豐富，而且具有廣泛的套用前景，因此，開展對這類問題的研究具有重要的科學意義。目前，人們對這類問題的研究處於初級階段，有許多科學問題值得研究，本項目主要研究如下問題： 1、對氮化鎵半導體多量子阱和量子點子帶結構進行紅外光譜和Raman散射譜測量，比較不同溫度和有無磁場的條件下，光譜譜線的差異，從中分析子帶間和子帶內的等離子激元集體激發和單粒子激發特徵；2、基於有效質量理論，用有限元方法計算多量子阱和量子點子帶結構和波函式；3、用隨機位相近似（RPA）研究半導體子帶間和子帶內等離子激元集體激發和單粒子激發問題；4、研究氮化鎵低維結構的子帶間THz光輻射與等離子激元集體激發之間的耦合，確定子帶間THz光輻射和集體激發之間的關係。

結題摘要

氮化鎵半導體低維結構中子帶間集體激發問題，研究取得如下成果： 1、對氮化鎵半導體多量子阱和量子點子帶結構進行紅外光譜和Raman散射譜測量，比較不同溫度和有無磁場的條件下，光譜譜線的差異，分析子帶間和子帶內的等離子激元集體激發和單粒子激發特徵； 2、基於有效質量理論，用有限元方法計算多量子阱, 量子點和異質結構的子帶結構和波函式； 3、用隨機位相近似（RPA）研究半導體子帶間和子帶內等離子激元集體激發和單粒子激發問題； 4、研究了氮化物異質結中的電子輸運問題，給出異質結中二維電子氣的集體激發和電子輸運的關係； 5、2010年至2012年共發表SCI論文6篇，其中Applied Physics Letters 2篇。