《氟硫酸鈰二階非線性光學晶體材料及其製備方法與套用》是同濟大學於2021年2月19日申請的專利，該專利公布號為CN112981537A，專利公布日為2021年6月18日，發明人是張弛、吳天輝、吳超。
基本介紹
- 中文名：氟硫酸鈰二階非線性光學晶體材料及其製備方法與套用
- 申請公布號 ：CN112981537A
- 申請公布日 ：2021.06.18
- 申請號 ：2021101889499
- 申請日：2021.02.19
- 申請人：同濟大學
- 地址：200092上海市楊浦區四平路1239號
- 發明人：張弛; 吳天輝; 吳超
- Int. Cl.：C30B29/46(2006.01)I; C30B7/10(2006.01)I; G02F1/355(2006.01)I
- 專利代理機構：上海科盛智慧財產權代理有限公司31225
- 代理人：顧艷哲
專利摘要
本發明涉及一種氟硫酸鈰二階非線性光學晶體材料及其製備方法與套用。該晶體材料的化學式為CeF2(SO4)，分子量為274.18，屬於正交晶系，其空間群為Pca21，晶胞參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞體積為與現有技術相比，本發明的晶體CeF2(SO4)在1064nm雷射照射下其粉末SHG係數為KH2PO4(KDP)的8.0倍，且在1064nm雷射照射下能實現相位匹配。此外，該晶體的雙折射(546nm處0.361)突破了氧化物的雙折射極限。
