正向壓降

正向壓降是指在規定的正向電流下，二極體的正向電壓降，是二極體能夠導通的正向最低電壓。

在規定的正向電流下，二極體的正向電壓降，是二極體能夠導通的正向最低電壓。

小電流矽二極體的正向壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8 V；鍺二極體約0.2～0.3 V。大功率的矽二極體的正向壓降往往達到1V。

更多的人則了解PN結的伏安特性，即PN結壓降與正向電流關係呈對數關係，如果說1mA時為0.6V, 10mA時為0.7V, 那么100mA， 1000mA 將可能對應0.82V及0.95V左右。

實際上，以上關係只在小電流下成立，當電流較大時則要考慮二極體電阻分量的壓降了，我們目前知道，二極體除了具有PN結，還具有半導體材料的體電阻，封裝綁定線的電阻及引腳的電阻，由於電阻的分壓，隨著電流的增大二極體壓降也會增大，這些電阻分量在幾百mA至幾A的情況下，壓降是很明顯的，可以認為，在小電流時主要由伏安特性決定壓降，而大電流時則主要由體電阻決定壓降。