《機電一體化系列教材·模擬電子技術(第2版)》是《模擬電子技術》修訂版，在第1版的基礎上，精煉了部分基礎內容，加強了電力電子器件及其套用，加入了Multisim軟體功能的介紹，拓寬了知識面。各章後均配有習題，便於學生掌握和鞏固基本概念、基本理論和基本分析方法。《機電一體化系列教材·模擬電子技術(第2版)》共分為10章，分別為：半導體二極體、電晶體和場效應電晶體、交流放大電路、功率放大電路、集成運算放大器基礎、負反饋放大器、集成運算放大器的套用、信號發生器、直流穩壓電源、電力電子器件及其套用和Multisim的功能和套用。
基本介紹
- 書名：機電一體化系列教材•模擬電子技術
- 出版社：機械工業出版社
- 頁數：274頁
- 開本：16
- 品牌：機械工業出版社
- 作者：莊效桓 李燕民
- 出版日期：2008年6月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：9787111237570, 7111237579
內容簡介,圖書目錄,文摘,
內容簡介
《機電一體化系列教材·模擬電子技術(第2版)》和《數字電子技術》第2版配套，可作為高等學校機電專業本科生“電子技術”課程的理論課教材，也可供其他相關專業選用以及從事機電工程的工程技術人員參考。
圖書目錄
第2版前言
第1章 半導體二極體、電晶體和場效應電晶體
1.1 半導體的基礎知識
1.1.1 半導體的導電特性
1.1.2 PN結
1.2 半導體二極體
1.2.1 二極體的基本結構
1.2.2 二極體的伏安特性
1.2.3 二極體的主要參數
1.2.4 二極體的直流電阻和交流電阻
1.2.5 二極體套用舉例
1.2.6 特殊二極體
1.3 矽穩壓管及其穩壓電路
1.3.1 矽穩壓管
1.3.2 矽穩壓管穩壓電路
1.4 半導體電晶體
1.4.1 電晶體的基本結構
1.4.2 電晶體的電流控制作用
1.4.3 電晶體的共發射極特性曲線
1.4.4 電晶體的主要參數
1.5 絕緣柵場效應電晶體
1.5.1 N溝道增強型絕緣柵場效應電晶體
1.5.2 N溝道耗盡型絕緣柵場效應電晶體
1.5.3 P溝道絕緣柵場效應電晶體
1.5.4 絕緣柵場效應電晶體的主要參數
1.5.5 VMOS功率場效應電晶體
1.5.6 場效應電晶體的特點和使用注意事項
習題
第2章 交流放大電路
2.1 基本共發射極放大電路
2.1.1 基本共發射極放大電路的組成
2.1.2 放大電路的靜態分析
2.1.3 放大電路的動態分析
2.2 放大電路靜態工作點的穩定
2.2.1 溫度對靜態工作點的影響
2.2.2 分壓式偏置電路
2.3 共集電極放大電路
2.3.1 靜態分析
2.3.2 動態分析
2.3.3 射極輸出器的套用
2.4 共基極放大電路
2.5 阻容耦合多級放大電路
2.5.1 多級放大電路的組成及其耦合方式
2.5.2 阻容耦合多級放大電路
2.6 阻容耦合放大電路的頻率特性
2.6.1 頻率特性的概念
2.6.2 單級共射放大電路頻率特性的定性分析
2.6.3 多級放大電路的頻率特性
2.7 場效應電晶體共源極基本放大電路
2.7.1 直流偏置電路及靜態分析
2.7.2 動態分析
2.8 場效應電晶體共漏極放大電路（源極輸出器）
習題
第3章 功率放大電路
3.1 無輸出電容的互補對稱功率放大電路
3.1.1 放大電路的三種工作狀態
3.1.2 OCL功放電路的組成和工作原理
3.1.3 輸出功率和效率
3.1.4 設定靜態偏置消除交越失真
……
第4章 集成運算放大器基礎
第5章 負反饋放大器
第6章 集成運算放大器的套用
第7章 信號發生器
第8章 直流穩壓電源
第9章 電力電子器件及其套用
第10章 Multisim的功能和套用
參考文獻
第1章 半導體二極體、電晶體和場效應電晶體
1.1 半導體的基礎知識
1.1.1 半導體的導電特性
1.1.2 PN結
1.2 半導體二極體
1.2.1 二極體的基本結構
1.2.2 二極體的伏安特性
1.2.3 二極體的主要參數
1.2.4 二極體的直流電阻和交流電阻
1.2.5 二極體套用舉例
1.2.6 特殊二極體
1.3 矽穩壓管及其穩壓電路
1.3.1 矽穩壓管
1.3.2 矽穩壓管穩壓電路
1.4 半導體電晶體
1.4.1 電晶體的基本結構
1.4.2 電晶體的電流控制作用
1.4.3 電晶體的共發射極特性曲線
1.4.4 電晶體的主要參數
1.5 絕緣柵場效應電晶體
1.5.1 N溝道增強型絕緣柵場效應電晶體
1.5.2 N溝道耗盡型絕緣柵場效應電晶體
1.5.3 P溝道絕緣柵場效應電晶體
1.5.4 絕緣柵場效應電晶體的主要參數
1.5.5 VMOS功率場效應電晶體
1.5.6 場效應電晶體的特點和使用注意事項
習題
第2章 交流放大電路
2.1 基本共發射極放大電路
2.1.1 基本共發射極放大電路的組成
2.1.2 放大電路的靜態分析
2.1.3 放大電路的動態分析
2.2 放大電路靜態工作點的穩定
2.2.1 溫度對靜態工作點的影響
2.2.2 分壓式偏置電路
2.3 共集電極放大電路
2.3.1 靜態分析
2.3.2 動態分析
2.3.3 射極輸出器的套用
2.4 共基極放大電路
2.5 阻容耦合多級放大電路
2.5.1 多級放大電路的組成及其耦合方式
2.5.2 阻容耦合多級放大電路
2.6 阻容耦合放大電路的頻率特性
2.6.1 頻率特性的概念
2.6.2 單級共射放大電路頻率特性的定性分析
2.6.3 多級放大電路的頻率特性
2.7 場效應電晶體共源極基本放大電路
2.7.1 直流偏置電路及靜態分析
2.7.2 動態分析
2.8 場效應電晶體共漏極放大電路（源極輸出器）
習題
第3章 功率放大電路
3.1 無輸出電容的互補對稱功率放大電路
3.1.1 放大電路的三種工作狀態
3.1.2 OCL功放電路的組成和工作原理
3.1.3 輸出功率和效率
3.1.4 設定靜態偏置消除交越失真
……
第4章 集成運算放大器基礎
第5章 負反饋放大器
第6章 集成運算放大器的套用
第7章 信號發生器
第8章 直流穩壓電源
第9章 電力電子器件及其套用
第10章 Multisim的功能和套用
參考文獻
文摘
第1章 半導體二極體、電晶體和場效應電晶體
不管在分立元件電路中，還是在積體電路中，半導體二極體、電晶體和場效應電晶體都是套用最為廣泛的半導體器件。掌握這幾種半導體器件的工作原理是學習各種電子電路的基礎。本章首先介紹半導體的基礎知識，在此基礎上介紹半導體二極體、電晶體和場效應電晶體的基本結構、工作原理、特性和主要參數。
1.1 半導體的基礎知識
1.1.1 半導體的導電特性
在自然界中屬於半導體的物質有很多種，但用來製造半導體器件的材料主要有矽（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）。這些半導體在電子技術中之所以得到廣泛的套用，並不在於它們的導電能力介於導體和絕緣體之間，而是因為它們的導電性會隨外界條件的不同發生明顯的變化，並可以人為地加以控制。這種獨特的導電性表現在：
（1）熱敏性一些半導體對溫度的反應很靈敏，其導電能力隨環境溫度升高而明顯增加，利用這種特性可以做成各種熱敏元件。
（2）光敏性有些半導體在受到光照時，導電能力也明顯增強，利用這種特性可以製成各種光電元件。
（3）摻雜性在純淨的半導體中摻入微量的其他元素（稱為雜質），就可以使半導體的導電能力大大增加。利用這一特性可以製成各種半導體器件。
半導體為什麼具有這些獨特的導電性呢？這是由它內部的原子結構和原子之間的結合方式所決定的。一種物質能否導電要看其內部有無可以自由移動的帶電粒子，這種帶電粒子稱為載流子。下面首先簡述半導體的原子結構和載流子的形成。
1.本徵半導體
用矽或鍺製造半導體器件時，必須形成單晶體。我們把純淨的沒有結構缺陷的半導體單晶稱為本徵半導體。
不管在分立元件電路中，還是在積體電路中，半導體二極體、電晶體和場效應電晶體都是套用最為廣泛的半導體器件。掌握這幾種半導體器件的工作原理是學習各種電子電路的基礎。本章首先介紹半導體的基礎知識，在此基礎上介紹半導體二極體、電晶體和場效應電晶體的基本結構、工作原理、特性和主要參數。
1.1 半導體的基礎知識
1.1.1 半導體的導電特性
在自然界中屬於半導體的物質有很多種，但用來製造半導體器件的材料主要有矽（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）。這些半導體在電子技術中之所以得到廣泛的套用，並不在於它們的導電能力介於導體和絕緣體之間，而是因為它們的導電性會隨外界條件的不同發生明顯的變化，並可以人為地加以控制。這種獨特的導電性表現在：
（1）熱敏性一些半導體對溫度的反應很靈敏，其導電能力隨環境溫度升高而明顯增加，利用這種特性可以做成各種熱敏元件。
（2）光敏性有些半導體在受到光照時，導電能力也明顯增強，利用這種特性可以製成各種光電元件。
（3）摻雜性在純淨的半導體中摻入微量的其他元素（稱為雜質），就可以使半導體的導電能力大大增加。利用這一特性可以製成各種半導體器件。
半導體為什麼具有這些獨特的導電性呢？這是由它內部的原子結構和原子之間的結合方式所決定的。一種物質能否導電要看其內部有無可以自由移動的帶電粒子，這種帶電粒子稱為載流子。下面首先簡述半導體的原子結構和載流子的形成。
1.本徵半導體
用矽或鍺製造半導體器件時，必須形成單晶體。我們把純淨的沒有結構缺陷的半導體單晶稱為本徵半導體。
