《模擬CMOS積體電路系統化設計》是2022年機械工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 書名：模擬CMOS積體電路系統化設計
- 作者：[比] 保羅·G.A.傑斯珀斯（Paul，G.，A.，Jespers）、[美] 鮑里斯·默爾曼（Boris Murmann）
- 出版社：機械工業出版社
- 出版時間：2022年8月1日
- ISBN：9787111707455
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書是一本實踐性指南，它給出一種納米尺度CMOS模擬電路積體電路設計的新方法，新方法具有高效的特性，且可對電路行為帶來深入洞察。
圖書目錄
譯者序
符號與縮略語表
第1章緒論
1.1寫作緣由
1.2模擬電路尺寸問題和提出的方法
1.2.1平方律視角
1.2.2使用查詢表進行權衡
1.2.3一般化
1.2.4VGS未知的設計
1.2.5弱反型下的設計
1.3內容概述
1.4關於預備知識
1.5關於符號
1.6參考文獻
第2章基礎電晶體建模
2.1CSM
2.1.1CSM中的漏極電流方程
2.1.2漏極電流與漏極電壓的關係
2.1.3跨導效率gm/ID
2.2基礎EKV模型
2.2.1基礎EKV方程
2.2.2共源MOS電晶體的基礎EKV模型
2.2.3EKV模型的強、弱反型近似
2.2.4基礎EKV模型中gm和gm/ID的表達式
2.2.5從EKV模型中提取參數
2.3實際的電晶體
2.3.1實際漏極電流的特徵ID(VGS) 和gm/ID
2.3.2實際電晶體的漏極飽和電壓VDsat
2.3.3偏置條件對EKV參數的影響
2.3.4漏極電流特性ID(VDS)
2.3.5輸出電導gds
2.3.6gds/ID之比
2.3.7本徵增益
2.3.8MOSFET電容和特徵頻率fT
2.4本章小結
2.5參考文獻
第3章使用gm/ID方法的基本尺寸設計
3.1本徵增益級的尺寸設計
3.1.1電路分析
3.1.2設計尺寸時的考慮因素
3.1.3對於給定的gm/ID設計尺寸
3.1.4基本權衡探索
3.1.5在弱反型下設計尺寸
3.1.6使用漏極電流密度設計尺寸
3.1.7包含外部電容
3.2實際共源級
3.2.1有源負載
3.2.2電阻負載
3.3差分放大器級
3.4本章小結
3.5參考文獻
第4章噪聲、失真與失配
4.1電噪聲
4.1.1熱噪聲建模
4.1.2熱噪聲、增益頻寬與供電電流間的權衡
4.1.3來自有源負載的熱噪聲
4.1.4閃爍噪聲（1/f噪聲）
4.2非線性失真
4.2.1MOS跨導的非線性
4.2.2MOS差分對的非線性
4.2.3輸出電導
4.3隨機失配
4.3.1隨機失配建模
4.3.2失配在電流鏡中的影響
4.3.3失配在差分放大器中的影響
4.4本章小結
4.5參考文獻
第5章電路套用實例Ⅰ
5.1恆定跨導偏置電路
5.2高擺幅級聯電流鏡
5.2.1調整電流鏡器件的大小
5.2.2對共源共柵偏置電路進行尺寸設計
5.3低壓降穩壓器
5.3.1低頻分析
5.3.2高頻分析
5.4射頻低噪聲放大器
5.4.1為低噪聲係數設計尺寸
5.4.2為低噪聲係數和低失真設計尺寸
5.5電荷放大器
5.5.1電路分析
5.5.2假定特徵頻率恆定的最佳化
5.5.3假定漏極電流恆定的最佳化
5.5.4假定噪聲和頻寬恆定的最佳化
5.6為工藝邊界進行設計
5.61偏置的考慮
5.62對於工藝和溫度的工藝評估
5.63可能的設計流程
5.7本章小結
5.8參考文獻
第6章電路套用實例Ⅱ
6.1開關電容電路的基本OTA
6.1.1小信號電路分析
6.1.2假定噪聲和頻寬恆定的最佳化
6.1.3考慮擺幅的最佳化
6.2用於開關電容電路的摺疊式共源共柵OTA
6.2.1設計方程
6.2.2最佳化流程
6.2.3存在壓擺時的最佳化
6.3用於開關電容電路的兩級OTA
6.3.1設計方程
6.3.2最佳化流程
6.3.3存在壓擺時的最佳化
6.4簡化設計流程
6.4.1摺疊共源共柵OTA
6.4.2兩級OTA
6.5開關尺寸調整
6.6本章小結
6.7參考文獻
附錄A EKV參數提取算法
附錄B 查詢表的生成與使用
附錄C 布局依賴
