《國外電子與通信教材系列：模擬電路版圖的藝術》是2011年電子工業出版社出版的圖書，作者是Alan Hastings。
基本介紹
- 書名：國外電子與通信教材系列:模擬電路版圖的藝術
- 作者：Alan Hastings
- 類型：基本電子電路
- 出版日期：2011年9月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：9787121143939, 7121143933
- 品牌：電子工業出版社
- 外文名：The Art of Analog Layout, Second Edition
- 譯者：張為
- 出版社：電子工業出版社
- 頁數：556頁
- 開本：16
- 定價：65.00
內容簡介,作者簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書以實用和權威性的觀點全面論述了模擬積體電路版圖設計中所涉及的各種問題及目前的最新研究成果。書中介紹了半導體器件物理與工藝、失效機理等內容；基於模擬積體電路設計所採用的3種基本工藝：標準雙極工藝、CMOS矽柵工藝和BiCMOS工藝，重點探討了無源器件的設計與匹配性問題，二極體設計，雙極型電晶體和場效應電晶體的設計與套用，以及某些專門領域的內容，包括器件合併、保護環、焊盤製作、單層連線、ESD結構等；最後介紹了有關晶片版圖的布局布線知識。
作者簡介
Alan Hastings， 美國TI（德州儀器）教授級工程師，具有淵博的積體電路版圖設計知識和豐富的實踐經驗。
張為，博士，天津大學微電子學院教授，博士生導師。研究方向包括數位訊號處理VLSI與通信系統，射頻積體電路設計，圖像分析與模式識別。
張為，博士，天津大學微電子學院教授，博士生導師。研究方向包括數位訊號處理VLSI與通信系統，射頻積體電路設計，圖像分析與模式識別。
圖書目錄
第1章 器件物理 1
1.1 半導體 1
1.2 PN結 9
1.3 雙極型電晶體 16
1.4 MOS電晶體 20
1.5 JFET電晶體 25
1.6 小結 27
1.7 習題 28
第2章 半導體製造 30
2.1 矽製造 30
2.2 光刻技術 33
2.3 氧化物生長和去除 35
2.4 擴散和離子注入 41
2.5 矽澱積和刻蝕 46
2.6 金屬化 51
2.7 組裝 60
2.8 小結 64
2.9 習題 64
第3章 典型工藝 66
3.1 標準雙極工藝 66
3.2 多晶矽柵CMOS工藝 80
3.3 模擬BiCMOS 96
3.4 小結 110
3.5 習題 110
第4章 失效機制 113
4.1 電過應力 113
4.2 玷污 121
4.3 表面效應 125
4.4 寄生效應 139
4.5 小結 154
4.6 習題 155
第5章 電阻 157
5.1 電阻率和方塊電阻（薄層電阻） 157
5.2 電阻版圖 159
5.3 電阻變化 162
5.4 電阻的寄生效應 167
5.5 不同電阻類型的比較 170
5.6 調整電阻阻值 182
5.7 小結 191
5.8 習題 191
第6章 電容和電感 193
6.1 電容 193
6.2 電感 210
6.3 小結 215
6.4 習題 216
第7章 電阻和電容的匹配 218
7.1 失配的測量 218
7.2 失配的原因 220
7.3 器件匹配規則 253
7.4 小結 259
7.5 習題 259
第8章 雙極型電晶體 262
8.1 雙極型電晶體的工作原理 262
8.2 標準雙極型小信號電晶體 274
8.3 CMOS和BiCMOS工藝小信號雙極型電晶體 292
8.4 小結 306
8.5 習題 307
第9章 雙極型電晶體的套用 309
9.1 功率雙極型電晶體 309
9.2 雙極型電晶體匹配 327
9.3 雙極型電晶體匹配設計規則 340
9.4 小結 345
9.5 習題 345
第10章 二極體 349
10.1 標準雙極工藝二極體 349
10.2 CMOS和BiCMOS工藝二極體 363
10.3 匹配二極體 365
10.4 小結 368
10.5 習題 368
第11章 場效應電晶體 370
11.1 MOS電晶體的工作原理 371
11.2 構造CMOS電晶體 384
11.3 浮柵電晶體 402
11.4 JFET電晶體 408
11.5 小結 412
11.6 習題 412
第12章 MOS電晶體的套用 415
12.1 擴展電壓電晶體 415
12.2 功率MOS電晶體 423
12.3 MOS電晶體的匹配 440
12.4 MOS電晶體的匹配規則 454
12.5 小結 457
12.6 習題 457
第13章 一些專題 460
13.1 合併器件 460
13.2 保護環 469
13.3 單層互連 474
13.4 構建焊盤環 479
13.5 ESD結構 483
13.6 習題 496
第14章 組裝管芯 500
14.1 規劃管芯 500
14.2 布局 506
14.3 頂層互連 511
14.4 小結 520
14.5 習題 520
附錄A 縮寫辭彙表 523
附錄 B 立方晶體的米勒指數 527
附錄C 版圖規則實例 529
附錄D 數學推導 536
附錄E 版圖編輯軟體的出處 541
1.1 半導體 1
1.2 PN結 9
1.3 雙極型電晶體 16
1.4 MOS電晶體 20
1.5 JFET電晶體 25
1.6 小結 27
1.7 習題 28
第2章 半導體製造 30
2.1 矽製造 30
2.2 光刻技術 33
2.3 氧化物生長和去除 35
2.4 擴散和離子注入 41
2.5 矽澱積和刻蝕 46
2.6 金屬化 51
2.7 組裝 60
2.8 小結 64
2.9 習題 64
第3章 典型工藝 66
3.1 標準雙極工藝 66
3.2 多晶矽柵CMOS工藝 80
3.3 模擬BiCMOS 96
3.4 小結 110
3.5 習題 110
第4章 失效機制 113
4.1 電過應力 113
4.2 玷污 121
4.3 表面效應 125
4.4 寄生效應 139
4.5 小結 154
4.6 習題 155
第5章 電阻 157
5.1 電阻率和方塊電阻（薄層電阻） 157
5.2 電阻版圖 159
5.3 電阻變化 162
5.4 電阻的寄生效應 167
5.5 不同電阻類型的比較 170
5.6 調整電阻阻值 182
5.7 小結 191
5.8 習題 191
第6章 電容和電感 193
6.1 電容 193
6.2 電感 210
6.3 小結 215
6.4 習題 216
第7章 電阻和電容的匹配 218
7.1 失配的測量 218
7.2 失配的原因 220
7.3 器件匹配規則 253
7.4 小結 259
7.5 習題 259
第8章 雙極型電晶體 262
8.1 雙極型電晶體的工作原理 262
8.2 標準雙極型小信號電晶體 274
8.3 CMOS和BiCMOS工藝小信號雙極型電晶體 292
8.4 小結 306
8.5 習題 307
第9章 雙極型電晶體的套用 309
9.1 功率雙極型電晶體 309
9.2 雙極型電晶體匹配 327
9.3 雙極型電晶體匹配設計規則 340
9.4 小結 345
9.5 習題 345
第10章 二極體 349
10.1 標準雙極工藝二極體 349
10.2 CMOS和BiCMOS工藝二極體 363
10.3 匹配二極體 365
10.4 小結 368
10.5 習題 368
第11章 場效應電晶體 370
11.1 MOS電晶體的工作原理 371
11.2 構造CMOS電晶體 384
11.3 浮柵電晶體 402
11.4 JFET電晶體 408
11.5 小結 412
11.6 習題 412
第12章 MOS電晶體的套用 415
12.1 擴展電壓電晶體 415
12.2 功率MOS電晶體 423
12.3 MOS電晶體的匹配 440
12.4 MOS電晶體的匹配規則 454
12.5 小結 457
12.6 習題 457
第13章 一些專題 460
13.1 合併器件 460
13.2 保護環 469
13.3 單層互連 474
13.4 構建焊盤環 479
13.5 ESD結構 483
13.6 習題 496
第14章 組裝管芯 500
14.1 規劃管芯 500
14.2 布局 506
14.3 頂層互連 511
14.4 小結 520
14.5 習題 520
附錄A 縮寫辭彙表 523
附錄 B 立方晶體的米勒指數 527
附錄C 版圖規則實例 529
附錄D 數學推導 536
附錄E 版圖編輯軟體的出處 541
