模擬電子技術基礎（第2版）

出版信息

模擬電子技術基礎（第2版）

作譯者：畢滿清

出版時間：2015-02 千字數：750

版次：01-01 頁數：428

開本：16(185*260)

裝幀：

I S B N ：9787121253935

圖書內容

本書是“十二五”普通高等教育本科國家級規劃教材, 也是國家資源共享課程“電子技術基礎”系列教材之一。全書共11章，包括：半導體二極體及其基本電路、雙極型電晶體及其基本放大電路、場效應管及其基本放大電路、多級放大電路和集成運算放大器、放大電路的頻率特性、反饋和負反饋放大電路、集成運放組成的運算電路、信號檢測與處理電路、波形發生電路、功率放大電路、直流電源。本著保證基礎、加強集成、體現先進、聯繫實際、便於教學的編寫原則，本書在內容上做到強調基本概念，重視電路分析方法，進一步做到經典與現代融合，與實驗融合，與工程套用融合,強化了集成運放的套用，增加了典型套用電路的分析和EDA仿真內容,滿足了套用型人才培養的需求。

目錄信息

第一章半導體基礎及套用電路

1.1 半導體基礎知識

1.1.1 本徵半導體

1.1.2 雜質半導體

1.1.3 漂移電流與擴散電流

1.2 PN結原理

1.2.1 PN結的形成及特點

1.2.2 PN結的單嚮導電特性

1.3 晶體二極體及套用

l.3.1 晶體二極體的伏安特性

l.3.2 二極體的直流電阻和交流電阻

1.3.3 二極體模型

1.3.4 二極體套用電路舉例

1.3.5 穩壓管及其套用

1.3.6 PN結電容效應及套用

1.3.7 特殊二極體

本章小結

思考題與習題一

第二章晶體三極體基礎

2.1 雙極型晶體三極體(BJT)

2.1.1 BJT的工作原理

2.1.2 BJT的靜態特性曲線

2.1.3 BJT主要參數

2.1.4 BJT小信號模型

2.2 結型場效應管(JFET)

2.2.1 JFET的結構和工作原理

2.2.2 JFET的特性曲線及參數

2.2.3 JFET的小信號模型

2.3 金屬—氧化物—半導體場效應管（MOSFET）

2.3.1 N溝道增強型MOSFET工作原理

2.3.2 N溝道耗盡型MOSFET工作原理

2.3.3 MOSFET小信號模型

2.3.4 場效應電晶體與雙極型電晶體的比較

本章小結

思考題與習題二

第三章電晶體放大電路基礎

3.1 放大電路的基本組成和工作原理

3.1.l 基本放大器及其模型

3.1.2 放大電路的組成及其直流、交流通道

3.1.3 放大電路的圖解法

3.2 三類基本組態放大電路的交流特性分析

模擬電子技術基礎（第2版）

基本介紹

出版信息

圖書內容

目錄信息

相關詞條

熱門詞條