梁孟松，1952年出生，男，漢族，畢業於加州大學伯克利分校，師從胡正明教授。中國台灣電子工程學家、電機電子工程師學會院士，被稱為“台灣晶片魔術師”。
1992年擔任台積電工程師、資深研發處長，是台積電近500個專利的發明人。現任中芯國際（全稱中芯國際積體電路製造有限公司）聯合執行長。
梁孟松早年曾在美國AMD公司任職。1992年，時年40歲的他離開美國，回到中國台灣，入職台積電擔任工程師和資深研發處長。並在2003年，與IBM130nm銅製程之戰中一舉成名。
2006年，梁孟松因在台積電受到冷遇，晉升無望，導致他離職，並帶走了一批研發人員投奔三星，出任三星晶片部門首席技術官。在梁孟松團隊的幫助下，三星在半導體領域迅速崛起，其14納米製程量產比台積電早了約半年，並從台積電手中連續搶走了蘋果、高通的大單，台積電因此損失慘重。台積電與梁孟松打了一場歷時4年之久的官司，最終梁孟松敗訴，被規定直到“競業禁止期限”結束後才能返回三星。
2017年10月，梁孟松在中芯國際的邀請下，出任中芯國際聯席CEO。在短短300天內就攻克了14納米工藝技術的難關，將中芯國際的工藝良品率提升到95%。
2020年12月16日，中芯國際發布公告稱，已知悉梁孟松博士有條件辭任的意願，中芯國際正積極與梁博士核實其真實性辭任之意願。
基本介紹
- 中文名：梁孟松
- 別名：台灣晶片魔術師
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 出生日期：1952年
- 畢業院校：加州大學伯克利分校
- 職務：中芯國際聯合執行長
- 就職企業：中芯國際積體電路製造有限公司
- 主要成就：在300天內幫助中芯國際攻克14納米工藝技術，將中芯國際的工藝良品率提升到95%
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人物經歷
早年經歷
梁孟松出生於1952年，先是在國立成功大學電機工程學系取得學士與碩士學位，後於加州大學柏克萊分校師從胡正明教授。梁孟松的學術生涯一帆風順，先後獲得電子工程博士學位、當選電氣電子工程師學會院士，受專業的影響，梁孟松從事於超微半導體負責記憶體相關工作。
主要經歷
1992年，梁孟松擔任台積電工程師、資深研發處長，是台積電近500個專利的發明人。
2003年，梁孟松助力台積電在130納米製程工藝中擊敗IBM。
2009年，梁孟松離開台積電，加入韓國三星進行晶片研發，並帶領團隊讓三星在14nm晶片技術上一度超過台積電。並成功從台積電手中搶下蘋果A9處理器和高通的訂單，讓台積電股價大跌。
2010年10月，梁孟松在韓國成均館大學擔任訪問教授，並於2011年7月正式加入三星集團，擔任三星LSI部門技術長及三星晶圓代工執行副總。
2011年底，台積電以泄露公司機密為由對梁孟松發起訴訟，最終梁孟松敗訴，並被要求在2015年12月31日之前不得任職或以其他方式繼續為三星提供任何服務。
2017年10月16日，梁孟松獲委任為中芯國際聯合執行長兼執行董事
2020年2月，梁孟松在財報會議中介紹，來自14nm的營收將穩步上升，產能隨著中芯南方12英寸廠的產能爬坡而增長。
2021年11月11日，梁孟松不再擔任執行董事，繼續擔任中芯國際聯合執行長。
主要貢獻
中芯國際
2016年2月份，中芯國際就宣布28納米工藝進入設計定案階段（tape-out），但良品率一直不穩定。梁孟松來到中芯國際後，在其率領團隊的努力下，用了不到一年時間就將中芯國際28納米工藝良品率提升至85%以上。
不過，同年2月，聯芯積體電路製造（廈門）有限公司試產28納米，其良品率高達98%。而台積電南京廠也於2018年量產16納米製程。因此，中芯國際在28納米領域並沒有足夠大的優勢。
有鑒於此，梁孟松在研發上採取了跳代的方式。梁孟松到來之前，中芯國際（與台積電、三星）的差距是逐年拉大的。他到來之後，中芯國際的研發採取了跳代的方式，直接跳到14nm，之後繼續向N+1、N+2發展。
發明專利
積體電路結構的形成方法專利號：CN201310390288.3
積體電路與其形成方法與電子組件專利號：CN200410042978.0
所獲榮譽
2021年，福布斯中國最佳CEO榜排名第28位。
