柳陽(大連理工大學工程師)

柳陽，男，畢業於大連理工大學，碩士，大連理工大學工程師。

基本介紹

• 中文名：柳陽
• 畢業院校：大連理工大學
• 學位/學歷：碩士
• 專業方向：微電子與固體電子學
• 任職院校：大連理工大學

人物經歷

教育經歷

2006.9---2009.7 大連理工大學微電子與固體電子學碩士

2002.9---2006.7 瀋陽工業大學電子科學與技術學士

1999.9---2002.7 普蘭店市第二中學

工作經歷

2016.11至今

大連理工大學 微電子學院工程師

2012.122016.10

大連理工大學 物理與光電工程學院工程師

2009.72012.12

大連理工大學 物理與光電工程學院助理工程師

學術成果

論文成果

Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao,Yan, Long,Han, Xu.Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD[J],JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2018,735:1239-1244

Chen, Yuanpeng,Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Abbas, Qasim,Liu, Yang,Du, Guotong.Growth Pressure Controlled Nucleation Epitaxy of Pure Phase epsilon- and beta-Ga2O3 Films on Al2O3 via Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2018,18(2):1147-1154

Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Zheng, Xiantong,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Abbas, Qasim,Huang, Huolin,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer[J],JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2017,121(33):18095-18101

Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Xia, Xiaochuan,Liu, Yang,Liu, Jun,Abbas, Qasim,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin,Zhang, Yuantao.Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition[J],CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2017,17(6):3411-3418

Liu, Jianxun,Du, Guotong,Liang, Hongwei,Liu, Yang,Xia, Xiaochuan,Huang, Huolin,Tao, Pengcheng,Sandhu, Qasim Abbas,Shen, Rensheng,Luo, Yingmin.Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2017,60:66-70

Xia, Xiaochuan,Liang, Hongwei,Geng, Xinlei,Chen, Yuanpeng,Yang, Chao,Liu, Yang,Shen, Rensheng,Xu, Mengxiang,Du, Guotong.Synthesis of GaN network by nitridation of hexagonal epsilon-Ga2O3 film[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2017,28(3):2598-2601

發明專利

一種氧化鎵外延膜的製備方法及氧化鎵外延膜

摻雜氧化鎵膜的製備方法及摻雜氧化鎵膜

在鎵系異質半導體襯底上製備氧化鎵膜的方法及氧化鎵膜

金屬支撐垂直結構無螢光粉白光LED的製備方法

科研項目

高耐壓、低損耗的Si襯底Ga2O3 MOSFET器件製備研究, 國家自然科學基金項目, 2017/08/17, 進行

耐高壓矽基氧化鎵場效應電晶體的研製, 省、市、自治區科技項目, 2018/01/01, 進行

稀土摻雜發光材料溫度依賴的發光性質研究, 省、市、自治區科技項目, 2018/08/20, 進行

大連積體電路產業升級轉型的調查研究, 國際合作項目, 2018/08/22, 進行

面向空間套用的SiC基PIN型軟X射線探測器研製, 國家自然科學基金項目, 2018/08/16, 進行

大功率白光LED封裝用玻璃螢光體的研究, 省、市、自治區科技項目, 2017/09/04, 進行