朱小莉(湖南大學物理與微電子科學學院副教授)

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朱小莉,女,博士,湖南大學物理與微電子科學學院副教授。

基本介紹

  • 中文名:朱小莉
  • 畢業院校:日本東北大學
  • 學位/學歷:博士
  • 專業方向:物理與微電子科學
  • 任職院校:湖南大學
人物經歷,教育經歷,工作經歷,科研項目,學術成果,

人物經歷

教育經歷

006/04 - 2009/03,日本東北大學,電子工學,博士,導師:伊藤隆司
2000/09 - 2003/03,湖南大學,微電子學與固體電子學,碩士,導師:陳迪平
1996/09 - 2000/06,湖南大學,微電子技術,學士

工作經歷

2003/04 -2016/12,湖南大學,物理與微電子科學學院,講師
2017/01至今,湖南大學,物理與微電子科學學院,副教授

科研項目

1.國家自然科學青年基金,61505051,InAsP軸向能帶調控半導體納米線的可控生長及其光電特性研究,2016/01-2018/12,20萬元,在研,主持。
2.國家自然科學基金面上項目,61474040,一維半導體異質納米結構的瞬態光子特性及光傳輸調控研究, 2015/01-2018/12,85萬元,在研,參加。

學術成果

1. P. Y. Ren#, W. Hu#, Q. L. Zhang#, X. L. Zhu#, X. J. Zhuang, L. Ma, X. P. Fan, H. Zhou, L. Liao, X. F. Duan and A. L. Pan, Band-selective infrared photodetectors with complete-composition-range InAsxP1-x alloy nanowires, Adv. Mater., 26(44), 7444-7449,2014. (並列第一作者)
2. P. Y. Ren, J. Y. Han, J. Y. Xu, L. Ma, H. L. Li, X. J. Zhuang, H. Zhou, Q. L. Zhang, X. L. Zhu*, M. G. Xia, and A. L. Pan*, Synthesis and diameter-dependent thermal conductivity of InAs nanowires, Nano-Micro Lett., 6(4), 301-306,2014. (通訊作者)
3. P. Y. Ren, J. Y. Xu, Y. C. Wang, X. J. Zhuang, Q. L. Zhang, H. Zhou, Q. Wan, X. L. Zhu*, and A. L. Pan*, Synthesis and optical properties of InP quantum dot/nanowire heterostructures, Phys. Status Solidi A, 210(9), 1898-1902, 2013. (通訊作者)
4. Q. M. Hao, J. Y. Xu, X. J. Zhuang,Q. L. Zhang, Q. Wan, H. Y. Pan, X. L. Zhu*, and A. L. Pan*, Template-free synthesis and photocatalytic activity of CdS nanorings, Mater. Lett., 100(1), 141-144, 2013. (通訊作者)
5. J. Z. Liu, M. Z. Zhong, J. B. Li, A. L. Pan, and X. L. Zhu*, Few-layer WO3 nanosheets for high-performance UV-photodetectors, Mater. Lett., 148, 184-187, 2015. (通訊作者)
6. H. Zhou*, S. S. Wang, G. H. Wu, X. L. Zhu*, X. X. Wang , and A. L. Pan, Er3+-doped Na0.5Bi0.5TiO3 ferroelectric thin films with enhanced electrical properties and strong green up-conversion luminescence, Appl. Phys. A, 119, 937-940, 2015. (通訊作者)
7. H. Tan, C. Fan, L.Ma, X. H. Zhang, P. Fan, Y. K. Yang, W. Hu, H. Zhou, X. J. Zhuang, X. L. Zhu*, and A. L. Pan*, Single-crystalline InGaAs nanowires for room-temperature near-infrared photodetectors, Nano-Micro Lett., 8, 29-35, 2016.(通訊作者)
8. C. H. Ge, H. L. Li, X. L. Zhu*, and A. L. Pan*, Band gap engineering of atomically thin two-dimensional semiconductors, Chin. Phys. B, 26, 034208 (2017) (通訊作者)

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