有序矽量子點結構中的輸運特性及量子調控研究

有序矽量子點結構中的輸運特性及量子調控研究

《有序矽量子點結構中的輸運特性及量子調控研究》是依託上海交通大學,由沈文忠擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:有序矽量子點結構中的輸運特性及量子調控研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:沈文忠
  • 依託單位:上海交通大學
  • 批准號:10674094
  • 申請代碼:A2003
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2007-01-01 至 2009-12-31
  • 支持經費:35(萬元)
項目摘要
矽光電子學的物理與套用研究是當代凝聚態物理學科前沿。本課題提出通過生長條件的最佳化來改善矽量子點結構中的載流子輸運特性和探索量子化輸運過程的調控與套用。主要藉助於氫在矽量子點結構生長中的關鍵作用以及和巨觀生長條件的關聯,在成功實現單晶矽襯底上有效室溫發光和較高電子遷移率(超過100 cm^2/Vs) 的有序矽量子點結構基礎上,通過結構分析、光電實驗與載流子輸運理論相結合的方法,系統地研究矽量子點的微觀結構參數、電學輸運特性與量子過程調控及其相互聯繫的完整物理圖像和規律。集中研究有序矽量子點結構中淺雜質摻雜對能帶結構的調控,晶粒尺寸和晶格結構變化對載流子遷移率的影響,外場對量子共振隧穿現象的調控,磁場對載流子波函式相位的作用以及嘗試矽量子點結構在單光子探測上的套用,推動矽光電子學的進一步發展。

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