《新型電子薄膜材料（第二版）》是2012年化學工業出版社出版的圖書，作者是陳光華、鄧金祥。
基本介紹
- 書名：新型電子薄膜材料（第二版）
- 作者：陳光華、鄧金祥
- ISBN：9787122131812
- 頁數：340
- 出版社：化學工業出版社
- 出版時間：2012-4-1
- 開本：16開
圖書簡介,內容簡介,目錄,
圖書簡介
版 次：2
字 數：613000
印刷時間：2012-4-1
紙 張：膠版紙
印 次：1
包 裝：平裝
內容簡介
能源、材料、信息科學是新技術革命的先導和支柱。作為特殊形態材料的薄膜，已成為微電子學、光電子學、磁電子學、刀具超硬化、感測器、太陽能利用等新興學科的材料基礎，並已涉及電子、計算機、磁記錄、信息、感測器、能源、機械、光學、航空、航天、核工業等各個部門。本書內容既介紹各類固體薄膜的研究和發展情況，也包括國內學者和著者的研究成果，反映了當前學科的先進水平。
本書第二版基本上保持了《新型電子薄膜材料》第一版的原貌。與第一版相比，增加了第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池、聚光太陽能電池和有機薄膜太陽能電池，反映了有關薄膜太陽能電池材料和技術研究的最新成果。另外，還對碳基薄膜材料，包括富勒烯薄膜、碳納米管薄膜和石墨烯薄膜等內容進行了重點介紹。
目錄
第1章 緒論
1.1 薄膜的定義及特性
1.1.1 薄膜的定義
1.1.2 薄膜材料的分類
1.1.3 薄膜材料的特殊性
1.1.4 薄膜結構的缺陷
1.1.5 薄膜的光學特性
1.2 薄膜材料研究現狀
1.3 新型薄膜材料發展前景
參考文獻
第2章 矽基半導體薄膜材料
2.1 概述
2.2 矽基非晶態半導體薄膜
2.2.1 非晶半導體薄膜材料的結構特點
2.2.2 非晶態半導體薄膜材料的製備方法
2.2.3 非晶態半導體薄膜材料的能帶模型
2.2.4 非晶態半導體薄膜材料的電學特性
2.2.5 非晶態半導體的光學性質
2.2.6 非晶半導體薄膜材料在光電器件方面的獨特性能
2.2.7 非晶半導體薄膜材料質量的研究近況
2.3 多晶矽和微晶矽薄膜
2.3.1 μc?Si∶H薄膜
2.3.2 多晶Si薄膜
2.4 薄膜電晶體與大面積液晶顯示器
2.4.1 a?Si∶H TFT的結構、製備和工藝
2.4.2 a?Si∶H TFT的工作特性
2.4.3 新型μc?Si∶H /a?Si∶H雙有源層結構的薄膜電晶體
2.4.4 a?Si∶H TFT在有源矩陣中的套用
參考文獻
第3章 金剛石薄膜及相關材料
3.1 概述
3.2 金剛石薄膜
3.2.1 金剛石薄膜的結構
3.2.2 金剛石薄膜的優異特性
3.2.3 金剛石薄膜的製備方法
3.2.4 強碳化物形成元素襯底上金剛石薄膜的生長特性及過渡層的研究
3.2.5 織構金剛石薄膜的製備
3.3 類金剛石膜（DLC）
3.3.1 類金剛石薄膜的相結構
3.3.2 類金剛石膜的製備方法
3.3.3 類金剛石薄膜直流電導特性的研究
3.3.4 類金剛石膜的光學特性
3.3.5 類金剛石薄膜的力學特性
3.3.6 類金剛石膜的其他特性
3.3.7 類金剛石膜的套用
3.4 立方氮化硼薄膜
3.4.1 氮化硼的四種異構體
3.4.2 立方氮化硼的性質和套用前景
3.4.3 立方氮化硼薄膜的製備方法
3.4.4 氮化硼薄膜的n型摻雜
3.4.5 氮化硼薄膜的p型摻雜
3.4.6 立方氮化硼薄膜的研究現狀及面臨的問題
3.5 β?C3N4薄膜
3.5.1 β?CNx薄膜的原子結構
3.5.2 β?C3N4薄膜的製備與特性表征
3.5.3 β?C3N4的套用前景
3.6 BCN薄膜
3.6.1 BCN薄膜的結構
3.6.2 BCN薄膜的製備
3.6.3 BCN薄膜的電學性質
3.6.4 BCN薄膜的光學帶隙
3.7 其他硬質薄膜
3.7.1 氮化物、磷化物、硼化物及氧化物
3.7.2 硬質薄膜材料的物性
3.7.3 硬質複合薄膜材料
3.7.4 固體潤滑膜
3.8 寬頻隙薄膜材料場電子發射研究的現狀和問題
3.8.1 概述
3.8.2 金剛石薄膜的場電子發射
3.8.3 類金剛石（DLC）薄膜的場發射
3.8.4 其他寬頻隙材料薄膜的場發射
3.8.5 存在的問題
參考文獻
第4章 碳基薄膜材料
4.1 概述
4.2 碳的價鍵結構
4.2.1 碳的價鍵結構
4.2.2 碳的同素異構體
4.3 富勒烯薄膜材料
4.3.1 碳富勒烯的結構
4.3.2 C60富勒烯薄膜的表征
4.3.3 C60富勒烯薄膜的製備
4.3.4 富勒烯的性質
4.3.5 C60富勒烯薄膜在有機電致發光器件中的套用
4.3.6 C60單電子管
4.4 碳納米管薄膜材料
4.4.1 碳納米管的結構
4.4.2 碳納米管的性質
4.4.3 碳納米管薄膜的製備方法
4.4.4 取向生長碳納米管薄膜的製備及場致電子發射特性
4.4.5 單壁碳納米管三極體
4.5 石墨烯薄膜材料
4.5.1 石墨烯的結構和性質
4.5.2 石墨烯薄膜的製備與表征方法
4.5.3 氧化石墨還原法製備石墨烯薄膜
4.5.4 化學氣相沉積法製備石墨烯
4.5.5 功能化石墨烯的套用
4.5.6 石墨烯場效應管
參考文獻
第5章 硫系及其他多元化合物薄膜
5.1 概述
5.2 硫系化合物半導體
5.2.1 硫系化合物半導體材料的形成能力
5.2.2 硫系化合物材料的製備方法
5.2.3 硫系化合物摻雜的特點
5.2.4 硫系非晶態半導體的電學性質
5.2.5 硫系半導體的光致結構變化效應
5.3 薄膜靜電成像——複印鼓
5.3.1 靜電成像原理
5.3.2 靜電成像的基本過程
5.3.3 薄膜靜電成像的材料
5.3.4 複印機
5.4 納米Sn太陽能吸熱膜
5.4.1 太陽能吸熱膜的基本原理
5.4.2 納米Sn吸熱膜的製備方法和特性
參考文獻
第6章 薄膜太陽能電池材料
6.1 概述
6.2 a?Si∶H太陽能電池
6.2.1 單晶太陽能電池與非晶矽太陽能電池的優缺點
6.2.2 a?Si∶H太陽能電池的工作原理和參數
6.2.3 a?Si∶H太陽能電池的結構和性能
6.2.4 a?Si∶H太陽能電池的製造
6.2.5 提高a?Si∶H太陽能電池效率和降低成本的一些措施
6.2.6 a?Si∶H薄膜太陽能電池的研究進展
6.2.7 其他矽基薄膜太陽能電池
6.3 第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池
6.3.1 第ⅢA～ⅤA族化合物材料
6.3.2 第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池
6.3.3 第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池的發展趨勢
6.4 聚光太陽能電池
6.4.1 聚光太陽能電池的優勢
6.4.2 多結太陽能電池在聚光光伏中的套用
6.4.3 聚光光伏系統的發展
6.5 CdTe太陽能電池
6.5.1 多晶薄膜CdTe太陽能電池的出現與發展
6.5.2 大面積多晶薄膜CdTe太陽能電池
6.5.3 CdTe太陽能電池的研究進展
6.6 銅銦硒（CIS）及銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池
6.6.1 CIS和CIGS薄膜太陽能電池
6.6.2 製備CIGS薄膜過程中的摻鎵技術
6.6.3 CIGS薄膜太陽能電池的研究進展
6.7 有機薄膜太陽能電池
6.7.1 有機小分子太陽能電池和聚合物太陽能電池
6.7.2 染料敏化太陽能電池
6.7.3 有機太陽能電池能量轉化效率（ηp）的研究
6.7.4 有機太陽能電池穩定性的研究
參考文獻
第7章 納米薄膜材料與可見光發射
7.1 概述
7.1.1 半導體納米材料的特殊性質及研究意義
7.1.2 半導體量子點
7.2 發光機理及Si發光面臨的問題
7.2.1 發光機理及發光類型
7.2.2 可見發光材料
7.2.3 人眼的視感度與LED的視感度
7.2.4 Si發光面臨的問題
7.3 Ge/Si超晶格和量子阱結構材料
7.3.1 Ge/Si超晶格
7.3.2 Si/Si-xGex超晶格
7.3.3 Si/SiO超晶格
7.4 Ge/SiO2、Si/SiO2納米膜發光
7.4.1 Ge納米發光膜的製備
7.4.2 Ge納米晶的發光特性
7.4.3 Ge納米晶發光機理
7.4.4 矽納米晶雷射器初現端倪
7.5 多孔矽發光
7.5.1 多孔矽的結構
7.5.2 多孔矽的光學性質
7.5.3 多孔矽的形成機理
7.5.4 多孔矽的製作及其鈍化
7.6 氮化鎵基薄膜材料發光
7.6.1 氮化鎵基材料的特點及其套用
7.6.2 氮化鎵基材料的製備
7.6.3 氮化鎵基器件
7.7 薄膜發光顯示器（第ⅡA～ⅥA族化合物）
7.7.1 薄膜電致發光顯示器件的製備方法及結構
7.7.2 薄膜電致發光的物理過程
7.7.3 薄膜電致發光材料
7.7.4 薄膜電致發光器件
7.8 矽中摻鉺的發光特性及機理
7.8.1 鉺在Si中的原子構型
7.8.2 鉺在Si中的電子態
7.8.3 摻鉺矽的發光機理
7.8.4 摻鉺矽發光管與Si積體電路的集成
7.9 ZnO量子點——半導體雷射器新材料
7.9.1 ZnSe基雷射器存在的問題
7.9.2 ZnO材料的基本特性
7.9.3 ZnO的外延生長
7.9.4 ZnO量子點的光學特性
參考文獻
第8章 介質薄膜材料
8.1 概述
8.2 電介質薄膜及套用
8.2.1 氧化物電介質薄膜的製備及套用
8.2.2 低介電常數含氟氧化矽薄膜
8.3 鐵電薄膜及套用
8.3.1 鐵電薄膜的結構製備和特性
8.3.2 鐵電薄膜的套用
8.4 壓電薄膜及套用
8.4.1 壓電薄膜的製造技術
8.4.2 壓電薄膜的壓電性能
8.4.3 壓電薄膜的套用
參考文獻
第9章 高溫超導薄膜材料
9.1 概述
9.2 高溫超導薄膜的製備
9.2.1 對制膜技術的要求
9.2.2 高溫超導薄膜的製備方法
9.2.3 阻擋層技術
9.3 高溫超導薄膜材料的結構和性質
9.3.1 高溫超導薄膜材料的結構
9.3.2 高溫超導薄膜材料的性質
9.4 高溫超導薄膜材料的套用
9.4.1 概述
9.4.2 高溫超導約瑟夫森結技術及其套用
9.4.3 高溫超導探測器的研究進展與套用前景
9.4.4 高溫超導薄膜無源器件及套用
參考文獻
第10章巨磁阻薄膜材料
10.1概述
10.2磁性多層膜的巨磁阻效應
10.2.1GMR效應的發現和簡單原理
10.2.2GMR及層間耦合的振盪現象
10.2.3GMR與多層膜結構的依賴關係
10.2.4GMR材料的套用
10.3顆粒膜的巨磁阻效應
10.3.1顆粒膜及其製備
10.3.2顆粒膜的巨磁電阻效應
10.3.3間斷膜和混合膜的巨磁電阻效應
10.4自旋閥多層膜的巨磁阻效應
10.4.1自旋閥多層結構和巨磁阻效應
10.4.2磁控濺射法製備自旋閥多層膜
10.5摻雜稀土錳氧化物的巨磁電阻效應
10.5.1摻雜稀土錳氧化物的巨磁電阻效應
10.5.2摻雜稀土錳氧化物材料的結構和早期的研究結果
10.5.3錳氧化物的巨磁電阻機制的研究
參考文獻2
第11章其他薄膜材料
11.1概述
11.2超晶格和量子阱薄膜材料
11.2.1超晶格概念的提出、發展及其意義
11.2.2不同類型的半導體超晶格材料及其主要特徵
11.2.3半導體超晶格材料的生長技術
11.2.4超晶格微結構材料的主要性能及套用
11.3有機電致發光薄膜
11.3.1有機電致發光的特點
11.3.2器件的結構和製備
11.3.3有機電致發光膜材料
11.3.4藍色有機電致發光
11.4透明導電膜及其在電子工業方面的套用
11.4.1透明導電膜的種類與特性
11.4.2透明導電膜的製備方法
11.4.3透明導電膜的用途
11.5窄帶隙紅外光導薄膜材料（HgCdTe）
11.5.1紅外探測器與HgCdTe
11.5.2HgCdTe薄膜材料的製備方法和特性
11.6變色薄膜材料
11.6.1電致變色膜
11.6.2光學變色膜
11.6.3熱致變色膜
11.7防偽技術和光學防偽膜
11.7.1防偽技術的現狀與薄膜防偽技術的發展
11.7.2光學防偽膜的基本原理
11.7.3整膜防偽膜的設計與工藝
11.7.4碎膜防偽技術要點
11.7.5防偽膜防偽效果的加強
參考文獻
第12章薄膜製備的新技術和檢測手段
12.1概述
12.2濺射法
12.2.1基本原理
12.2.2射頻濺射
12.2.3磁控濺射
12.3微波電子迴旋共振化學氣相沉積法
12.3.1原理
12.3.2特點
12.3.3系統
12.4分子束外延法
12.4.1基本概念
12.4.2生長原理及方法
12.4.3生長特點
12.5金屬有機化學氣相沉積法
12.5.1原理
12.5.2制膜系統
12.5.3特點
12.6直流電弧電漿噴射化學氣相澱積法
12.7溶膠?凝膠法
12.7.1概述
12.7.2溶膠?凝膠方法製備薄膜工藝
12.8電沉積法
12.8.1概述
12.8.2特點
12.9脈衝雷射沉積法
12.9.1基本原理及物理過程
12.9.2特點
12.10觸媒化學氣相沉積法
12.11薄膜檢測手段
12.11.1薄膜厚度測量
12.11.2掃描電子顯微鏡分析
12.11.3原子力顯微鏡分析
12.11.4X射線衍射（XRD）分析
12.11.5傅立葉變換紅外光譜分析
12.11.6雷射拉曼光譜（Raman）分析
12.11.7X射線光電子能譜分析
12.11.8俄歇電子能譜分析
12.11.9二次離子質譜分析
12.11.1盧瑟福背散射分析
參考文獻
