《新型電位調製波長的多孔矽發光機理及器件研究》是蔡生民為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型電位調製波長的多孔矽發光機理及器件研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：蔡生民
- 依託單位：北京大學
- 批准號：29573091
- 申請代碼：B0205
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 支持經費：8（萬元）
項目摘要
本項目建立了多孔矽現場電致發光檢測系統，獲得了從690藍移至550nm的電位調製電致發光，發光強度隨偏壓增加而增強直至飽和。發現定偏壓下電致發光峰值能量隨時間紅移。綜合運用現場紅外光譜技術、原子力顯微技術和光電化學方法對多孔矽液相電致發光過程及發光前後的表面組成、結構形貌及光電流變化進行跟蹤，實驗結果表明S2O（8，2）的還原是多孔矽電致發光的空穴來源，不同大小的偏壓可選擇激活不同尺寸的納米矽，從而導致了發射波長的電壓調製；發光過程伴隨的表面氧化導致了發光峰位的紅移。首次觀察到多孔矽液相電致發光的雙峰現象，用我們前期研究提出的多源量子阱發光機制模型給出了合理的解釋。
