《新型硼酸鹽電光晶體材料生長及性能研究》是依託中國科學院理化技術研究所，由李如康擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型硼酸鹽電光晶體材料生長及性能研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李如康
- 依託單位：中國科學院理化技術研究所
- 批准號：50872138
- 申請代碼：E0201
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：40（萬元）
項目摘要
現代材料加工工業、軍事、醫療等套用常需要高峰值功率、短脈衝、高平均功率的雷射光源。利用電光晶體實現快速光開關是獲得短脈衝雷射的最簡單有效的方法。目前還不存在能同時滿足調製電壓低且高抗光損傷電光晶體，隨著高功率雷射器半導體泵浦全固態雷射器的快速發展，為獲得更高的峰值功率，更短的雷射脈衝，急需能耐受數十GW/cm2甚至更高雷射功率的優秀電光調製晶體。本申請的目標是：發現與BBO相比具有更大的電光係數且相近的光損傷閾值的新型電光晶體。我們提出探索新型電光晶體的新思路，選擇生長Ba4Ga2B4O9Cl2oNaCl和RbNbB2O6這兩種晶體，結合實驗合成，表征，爭取在抗光損傷的電光調製晶體中取得突破，獲得至少一種與BBO抗光損傷能力接近而電－光係數接近KDP晶體的新型電光調製晶體。
