《新型團簇離子的形成及超硬簿膜成膜製備研究》是韋倫存為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型團簇離子的形成及超硬簿膜成膜製備研究
- 項目類別 ：面上項目
- 項目負責人：韋倫存
- 依託單位 ：北京大學
- 批准號：19475001
- 申請代碼：A3003
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1995-01-01至1997-12-31
- 支持經費：9(萬元)
項目摘要
我們自行設計和建設了一台即可利用磁控濺射產生一些金屬、碳及其氮化物團簇，也可利用熱蒸發的方法產生各種低熔點金屬和半導體團簇設備，同時沉積室，我們增加了一個熱蒸發源，可以蒸發一些絕緣體和半導體介質得到嵌埋團簇膜，此外，磁控濺射產生的團簇有三分之二為離化團簇，在濺射室到沉積室之間，可加0-30keV的加速電壓。這樣，利用該設備，我們開展了以下幾方面的工作：（一）離化團簇束沉積（ICBD）合成氮化碳化合物β-C3N4薄膜的研究，以及荷能團簇的成膜及其結構性能的研究；（二）支撐團簇的製備、結構的研究；（三）嵌埋式團簇的製備、結構及光磁性能的研究，特別是半導體嵌埋團簇的光吸收性質、光學帶隙與團簇尺寸的關係及量子受限效應。
