基本介紹
- 中文名：拉特舍夫·亞歷山大·瓦西里耶維奇
- 出生日期：1959年1月4日
人物經歷,獲得榮譽,
人物經歷
2008年當選為俄羅斯科學院通訊院士。2016年當選為俄羅斯科學院納米技術與信息技術學部院士。
拉特舍夫A.V.院士是俄羅斯納米技術和低維系統結構診斷領域的著名專家，是創建低維半導體結構研究領域學術流派的奠基人。擅長領域：薄膜合成和納米級半導體分子束結構，新一代半導體納米技術，低維系統的結構診斷，納米光子學等等。
拉特舍夫A.V.院士的主要科研成果：創建了超高真空電子顯微鏡系統，套用於分子束外延、固相反應以及氣體與單晶矽表面相互作用過程；通過開展一系列矽表面結構重排實驗研究，揭示了亞單層塗層物理形成過程；首次驗證了矽原子遷移的作用，遷移可以導致矽原子台階重新分布；首次揭示了表面相變對矽表面原子台階聚類的影響；開發並改進分子束外延技術等等。
拉特舍夫A.V.院士的學術著作多與研究半導體系統表面和界面處的原子機理相關。他帶領其科研團隊利用高解析度、掃描電子顯微鏡，為納米技術領域的眾多研究提供計量、診斷以及技術保障支持。研製了新一代半導體器件——納米電晶體和單電子電晶體，基於量子效應的光電檢測器以及電子元件。研發使用電子束和離子束聚焦技術進行納米光刻。
拉特舍夫A.V.院士的基礎性研究成果還包括：低維系統外延異質結構形成的原子機理，量子效應，電子干擾，單電子效應等納米電子基礎性研究。研發有效的高解析度電子顯微鏡方法用於熱成像設備的研製。研製新型微波電子產品，抗輻射電子元件，原子厚度塗層光電探測器等。
拉特舍夫A.V.院士積極開展國際科技合作，與韓國的Samsung、以色列的Mosaic Crystal和NanoGate、德國AGM以及德國、法國、日本、美國和保加利亞等國家的高校機構合作。
拉特舍夫A.V.院士先後發表246篇論文，其中含6部專著和9項專利。曾指導3名副博士論文通過答辯。《Surface Science and Nanotechnology》、《新西伯利亞國立大學學報-物理學》等期刊編委。
拉特舍夫A.V.院士是俄羅斯科學院西伯利亞分院主席團成員。俄羅斯科學院西伯利亞分院儀器設備委員會成員，納米技術標準化技術委員會成員。俄羅斯聯邦自然基金專家委員會委員。俄羅斯聯邦教育科學部專家委員會成員。Rusnano Group公司專家委員會成員。新西伯利亞州政府社會發展部科學技術理事會理事。國際材料學和電子顯微鏡學科學理事會成員（柏林）。新西伯利亞大學和俄羅斯科學院半導體物理研究所學位答辯委員會委員。凝聚態物理與物理材料科學科學教育中心負責人。
獲得榮譽
拉特舍夫A.V.院士曾獲得俄羅斯聯邦政府獎，俄羅斯聯邦總統獎，俄羅斯科學院和西伯利亞分院榮譽證書，俄羅斯聯邦教育科學部榮譽證書，俄羅斯科技進步獎等表彰獎勵。
