應磊瑩，女，碩士，廈門大學電子科學與技術學院高級工程師。
基本介紹
- 中文名：應磊瑩
- 學位/學歷：碩士
- 職業：教師
- 專業方向：半導體器件與工藝
- 任職院校：廈門大學電子科學與技術學院
個人經歷,研究方向,學術成果,
個人經歷
中山大學理學學士，物理專業。
中國電子科技集團第十三研究所工學碩士，半導體光電集成專業。
研究方向
半導體器件與工藝。
學術成果
1、國防科工局科學挑戰計畫，“強約束條件下集成微系統的基礎科學技術問題”，在研，參加（排名第三）。
2、國家重點研發計畫，“固態紫外器件高光提取效率和光子調控工藝技術研究”，在研，參加（排名第三）。
3、國家自然科學基金聯合基金項目重點支持項目，“GaN基垂直腔面發射雷射器基礎研究”，在研，參加（排名第二）。
4、國家自然基金面上項目，“III族氮化物半導體微諧振腔中自發輻射特性研究”，在研，參加（排名第三）。
5、國家自然基金面上項目，“氮化鎵基共諧振腔發光管研究”，在研，參加（排名第三）。
6、廣東省省級科技計畫項目，“寬頻高效可見光通信LED器件研發”，在研，參加（排名第四）。
7、國家自然基金青年科學基金項目，“GaN基外腔可調諧半導體雷射器研究”，已結題，參加（排名第三）。
代表作：
[1]Mei Y, Weng G, Zhang B, Liu J, Hofmann W, Ying L, Zhang J, Li Z, Yang H, Kao H, 2017. Quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers covering the 'green gap' .
[2]Weng G, Mei Y, Liu J, Hofmann W, Ying L, Zhang J, Bu Y, Li A, Yang H, Zhang B, 2016. Low threshold continuous-wave lasing of yellow-green InGaN-QD vertical-cavity surface-emitting lasers. Optics Express
[3]Long H, Zeng Y, Ying L, Zhang B, . Coplanar metal-semiconductor-metal light-emitting devices with an n++InGaN layer and their application to display. Semiconductor Science and Technology
[4]Ying L, Hu X, Liu W, Zhang J, Zhang B*, Control of optical loss in GaN-based planar cavities. Superlattices and Microstructures
[5]Zhang J, Ying L*, Chen M, Liu W, Yu J, Zhang B, Improved heat dissipation in GaN-based thin-film light-emitting diode with lateral-electrode configuration. Science of Advanced Materials
[6]Liu W, Hu X, Ying L*, Zhang J, Zhang B, Room temperature continuous wave lasing of electrically injected GaN-based vertical cavity surface emitting lasers. Applied Physics Letters。
[7]應磊瑩，劉文杰，張江勇，胡曉龍，張保平，2014. 雷射剝離GaN表面的拋光技術。
[8]張保平，翁國恩，梅洋，張江勇，應磊瑩，一種氮化鎵基諧振腔氣體感測器的製備方法。
[9]張保平，左海傑，張江勇，應磊瑩，一種衍射光學元件的製作方法。
[10]張保平，胡曉龍，劉文杰，張江勇，應磊瑩，一種電注入GaN基諧振腔的製作方法。
[11]張保平，劉文杰，胡曉龍，張江勇，應磊瑩，一種氮化鎵基垂直腔面發射雷射器的製作方法。
